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磁性非易失MRAM
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磁性隨機存儲器芯片（MRAM）磁性隨機存儲器芯片（MRAM）

一種非揮發(fā)性的磁性隨機存儲器。
它擁有靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）的高速讀取寫入能力，
以及動態(tài)隨機存儲器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入
Everspin MRAM其原理是利用電子自旋的磁性結構，來提供不會產生損耗的非揮發(fā)特性。
Everspin MRAM可在集成了硅電路的磁性材料中存儲信息，以在單一、可無限使用的組件中提供SRAM的速度以及閃存的非揮發(fā)特性。
Everspin代理商logoEverspin Technologies 串行MRAM具有兼容串行EEPROM和串行閃存的讀/寫時序，沒有寫入延遲，而且耐讀/寫能力出色。與其他串行存儲器不同，這些存儲器的讀/寫操作可以是隨機的，而且沒有寫入延遲。 Everspin MRAM可以說是理想的存儲器解決方案。并且都與串行EEPROM、閃存和FeRAM產品兼容。能夠運行于工業(yè)級（-40°至+85 °C）和AEC-Q100 Grade 1（-40°C至+125 °C)溫度范圍內，并在整個溫度范圍內提供高度可靠的數據存儲能力。
型號 容量 位寬 電壓(V) 溫度 封裝 MOQ /托盤 MOQ /卷帶 PDF
MR25H40CDC 4Mb 512Kx8 3.3V -40℃to+85℃ 8-DFN 570 4,000 聯系我們
MR20H40CDF 4Mb 512Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN sf 570 4,000 聯系我們
MR25H40CDF 4Mb 512Kx8 3.3V -40 ℃to +85℃ 8-DFN sf 570 4,000 聯系我們
MR25H40MDF 4Mb 512Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN sf 570 4,000 聯系我們
MR25H10CDC 1Mb 128Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN 570 4,000 聯系我們
MR25H10MDC 1Mb 128Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN 570 4,000 聯系我們
MR25H10CDF 1Mb 128Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN sf 570 4,000 聯系我們
MR25H10MDF 1Mb 128Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN sf 570 4,000 聯系我們
MR25H256CDC 256Kb 32Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN 570 4,000 聯系我們
MR25H256MDC 256Kb 32Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN 570 4,000 聯系我們
MR25H256CDF 256Kb 32Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN sf 570 4,000 聯系我們
MR25H256MDF 256Kb 32Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN sf 570 4,000 聯系我們
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