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Nand MCP
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多芯片封裝存儲(chǔ)器（NAND MCP）多芯片封裝存儲(chǔ)器（NAND MCP）

多芯片封裝(MCP)產(chǎn)品,主要是基于2-die和3-die的堆疊封裝。
其中最主流的組合為1Gb+512Mb;2Gb+1Gb;4Gb+2Gb; 4Gb+4Gb (NAND和低功耗DRAM)。
把不同存儲(chǔ)技術(shù)產(chǎn)品，包括SLC NAND Flash和mobile DRAM如低功耗DDR1或DDR2設(shè)計(jì)在一個(gè)基板上。
jscJSC是一家擁有全球競爭力的專業(yè)移動(dòng)專業(yè)公司。自從開發(fā)用于移動(dòng)電話的低功耗SRAM以來，JSC半導(dǎo)體公司成功開發(fā)了移動(dòng)RAM（CellularRam）和LP DDR SDRAM等新產(chǎn)品。以下產(chǎn)品為NAND MCP，屬于多芯片封裝存儲(chǔ)器。產(chǎn)品的容量為1Gb~4Gb，提供FBGA 137B，F(xiàn)BGA 162B，F(xiàn)BGA 130B等封裝形式。我司可根據(jù)客戶不同的產(chǎn)品需求推薦性價(jià)比高且實(shí)用的產(chǎn)品。
Part Number NAND Flash/Den. NAND Flash/Bus NAND Flash/Type NAND Flash/ECC DRAM/Density DRAM/Bus DRAM/Type PKG information/PKG Type PKG information/PKG Size(mm) PDF
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JSFBAC2NH3CBA-450 2Gb x16 SLC 4bit(64byte) 1Gb x16 DDRI FBGA 130B 8.0x9.0x1.0 聯(lián)系我們
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