Everspin Technologies 串行MRAM具有兼容串行EEPROM和串行閃存的讀/寫時序，沒有寫入延遲，而且耐讀/寫能力出色。與其他串行存儲器不同，這些存儲器的讀/寫操作可以是隨機的，而且沒有寫入延遲。 Everspin MRAM可以說是理想的存儲器解決方案。并且都與串行EEPROM、閃存和FeRAM產品兼容。能夠運行于工業(yè)級（-40°至+85 °C）和AEC-Q100 Grade 1（-40°C至+125 °C)溫度范圍內，并在整個溫度范圍內提供高度可靠的數(shù)據存儲能力。
| 型號 |
容量 |
VDDQ |
電源電壓 |
速度 |
溫度范圍 |
包裝 |
封裝 |
PDF |
| MR10Q010SC |
1Mb |
1.8 |
3.3v |
40MHz/104MHz |
Commercial |
Tray |
16-SOIC |
聯(lián)系我們 |
| MR10Q010SCR |
1Mb |
1.8 |
3.3v |
40MHz/104MHz |
Commercial |
Tape & Reel |
16-SOIC |
聯(lián)系我們 |
| MR10Q010CSC |
1Mb |
1.8 |
3.3v |
40MHz/104MHz |
Industrial |
Tray |
16-SOIC |
聯(lián)系我們 |
| MR10Q010CSCR |
1Mb |
1.8 |
3.3v |
40MHz/104MHz |
Industrial |
Tape & Reel |
16-SOIC |
聯(lián)系我們 |
| MR10Q010MB |
1Mb |
1.8 |
3.3v |
40MHz/104MHz |
Commercial |
Tray |
24-BGA |
聯(lián)系我們 |
| MR10Q010MBR |
1Mb |
1.8 |
3.3v |
40MHz/104MHz |
Commercial |
Tape & Reel |
24-BGA |
聯(lián)系我們 |
| MR10Q010CMB |
1Mb |
1.8 |
3.3v |
40MHz/104MHz |
Industrial |
Tray |
24-BGA |
聯(lián)系我們 |
| MR10Q010CMBR |
1Mb |
1.8 |
3.3v |
40MHz/104MHz |
Industrial |
Tape & Reel |
24-BGA |
聯(lián)系我們 |
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