国产乱伦一区,国产美女精品一二三,欧美熟妇www,自拍偷在线精品自拍偷无码专区
產(chǎn)品中心
靜態(tài)隨機(jī)SRAM
低功耗LPSRAM
串行Serial SRAM
異步快速Async Fast
國產(chǎn)SRAM芯片
偽靜態(tài)隨機(jī)pSRAM
Parrallel pSRAM
SPI pSRAM
磁性非易失MRAM
Serial MRAM
Parellel MRAM
xSPI STT-MRAM
Quad Serial MRAM
DDR3/DDR4 ST-MRAM
鐵電存儲器FeRAM
FeRAM
非易失性NV-SRAM
Cypress
VTI
同步動態(tài)SDRAM
SDR SDRAM
DDR1 SDRAM
DDR2 SDRAM
DDR3 SDRAM
Mobile SDRAM
內(nèi)存Flash
Nand Flash
EEPROM
SPI NAND Flash
SPI Nor Flash
多制層芯片MCP
Nand MCP
eMCP
Microcontroller
定制單片機(jī)MCU
32位單片機(jī)MCU
案例&資訊
行業(yè)案例
資訊動態(tài)
關(guān)于我們
關(guān)于宇芯
組織架構(gòu)圖
聯(lián)系我們
聯(lián)系我們
郵箱:
sales@wridy.com
首頁
網(wǎng)站地圖
EN
行業(yè)案例
行業(yè)案例
>
資訊動態(tài)
>
行業(yè)案例
主頁 >
案例&資訊
?
行業(yè)案例
?
列表
新興存儲器鐵電RAM嵌入式應(yīng)用
存儲器IC市場一直是動態(tài)的,但是隨著邊緣計算,人工智能(AI),5G和自動駕駛的興起,對存儲器技術(shù)的需求正在不斷擴(kuò)大和發(fā)展。由于持續(xù)的大
2020-11-19
查看詳情 >
基于嵌入式STT-MRAM的架構(gòu)方案
本文由Everspin代理商宇芯電子介紹關(guān)于新型的芯片架構(gòu),將嵌入式磁存儲芯片STT-MRAM應(yīng)用于芯片架構(gòu)設(shè)計中,與傳統(tǒng)芯片架構(gòu)相比較,能夠降低芯
2020-11-17
查看詳情 >
Flash存儲器的故障特征
與RAM 不同的是,Flash存儲器除了具有一些典型的存儲器故障類型外,還會出現(xiàn)一些其它的故障類型,例如 NOR類型的Flash還會出現(xiàn)以下主要故障類型
2020-11-13
查看詳情 >
超低功耗MCU如何降低功耗
低功耗是MCU的一項非常重要的指標(biāo),比如某些可穿戴的設(shè)備,其攜帶的電量有限,如果整個電路消耗的電量特別大就會經(jīng)常出現(xiàn)電量不足的情況。
2020-11-11
查看詳情 >
讀取優(yōu)先和SRAM-MRAM混合結(jié)構(gòu)
MRAM寫入操作的長延時和較高的功耗成為其瓶頸,阻礙了其性能的進(jìn)一步提高。讀取優(yōu)先的寫緩存器和SRAM-MRAM混合結(jié)構(gòu)這兩種策略可以提高M(jìn)RAM的性能及降低其功耗。
2020-11-09
查看詳情 >
MRAM高速緩存的組成
磁阻式隨機(jī)存儲器(MRAM)是一種新型存儲器,其優(yōu)點有讀取速度快和集成度高及非揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM存儲器運用于計算機(jī)
2020-11-05
查看詳情 >
519條
上一頁
1
..
37
38
39
40
41
42
43
44
45
..
87
下一頁
友情鏈接
大型鹽霧試驗箱廠家
拉力計
氮化鎵芯片
智慧工業(yè)園
官方微博
阿里巴巴
微信公眾號
宇芯有限公司W(wǎng)ridy company limited
產(chǎn)品中心
靜態(tài)隨機(jī)SRAM
偽靜態(tài)隨機(jī)pSRAM
磁性非易失MRAM
鐵電存儲器FeRAM
非易失性NV-SRAM
同步動態(tài)SDRAM
內(nèi)存Flash
多制層芯片MCP
Microcontroller
案例&資訊
行業(yè)案例
資訊動態(tài)
關(guān)于我們
關(guān)于宇芯
組織架構(gòu)圖
聯(lián)系我們
聯(lián)系我們
在線客服
2207232297
聯(lián)系電話
18926554009