與其他存儲技術(shù)相比，MRAM在速度、面積、寫入次數(shù)和功耗方面能夠達(dá)到較好的折中，因此被業(yè)界認(rèn)為是構(gòu)建下一代非易失性緩存和主存的潛在存取器件之一。
 
目前MRAM有三個主要的應(yīng)用市場，第一是用來作為嵌入式存儲器，MRAM的特性非常適合用來作為嵌入式存儲器，特別是在嵌入或整合在MCU中。
 
第二，高密度的MRAM則適用于來作為系統(tǒng)暫存存儲器、加速NAND快閃存儲器，或者作為SRAM應(yīng)用的替代品。
 
第三，MRAM甚至很可能用來取代DRAM。MRAM很適合用來作為企業(yè)客戶的關(guān)鍵型任務(wù)應(yīng)用程序，其中可針對包括功率損耗和檔案遺失等問題加以解決，因為這些問題一旦發(fā)生都可能嚴(yán)重影響客戶端的使用狀況。
 
MRAM被視為是適合用于機(jī)器學(xué)習(xí)的儲存技術(shù)。機(jī)器學(xué)習(xí)系統(tǒng)多半使用的是傳統(tǒng)的存儲器，這對于功率的消耗非常嚴(yán)重。機(jī)器學(xué)習(xí)過程，很大一部分的功率是消耗在簡單的數(shù)據(jù)移動過程中，而不是實際的運算功能。針對機(jī)器學(xué)習(xí)的過程，任何性能的提升，都有助于改善機(jī)器學(xué)習(xí)的能力。與現(xiàn)有的DRAM產(chǎn)品相較之下，任何功耗的降低，和技術(shù)的持久穩(wěn)定性，都將有助于提升機(jī)器學(xué)習(xí)的整體效能。
 
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