近幾十年來，集成電路技術(shù)發(fā)展迅速，信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速。DRAM.SRAM和Flash存儲器是信息產(chǎn)業(yè)的核心產(chǎn)品。
 
可是DRAM.SRAM和Flash存儲器有其不可改變的缺陷。目前，世界上大多數(shù)半導體制造商一方面致力于改進存儲器的大容量化.高速化.另一方面，必須在原有完善存儲器的基礎(chǔ)上開發(fā)各種獨特的存儲器。
 
1.高速存儲器的發(fā)展
隨著微控制器速度的快速發(fā)展，存儲器的發(fā)展遠不能跟上微控制器速度的提高。以適應(yīng)高速CPU形成高性能系統(tǒng)的需要，高速DRAM技術(shù)不斷發(fā)展。高速發(fā)展DRAM目前方法一般集中在存儲芯片的片外附加邏輯電路上，嘗試在片外組織連續(xù)的數(shù)據(jù)流提高單付時間內(nèi)的數(shù)據(jù)流量，即提高存儲器的帶寬。
 
2.新型動態(tài)存儲器.
根據(jù)一些特定的必要性，一些公司開發(fā)了一些新的動態(tài)存儲器：例如，為了提高掃描顯示和多處理機系統(tǒng)的雙端口通信速度SRAM，為了解決圖形顯示帶寬瓶頸而設(shè)計的圖形卡視頻讀寫存儲器VRAM,為了改進Windows圖形用戶界面中的圖形特性WRAM,適用于多處理器系統(tǒng)的高速通信FIF0存儲器等。
 
3.不斷提高存儲集成度
因為新一代操作系統(tǒng)和許多與圖像處理相關(guān)的程序包對存儲容量有更多的要求，促進大半導體制造商繼續(xù)投資數(shù)億元開發(fā)亞微米集成電路技術(shù)，提高存儲器集成度，推出大空間存儲芯片。
 
4.低工作電壓低功耗化存儲器
選擇低壓集成電路技術(shù)后，芯片功耗大大降低，工作速度沒有明顯降低。此時電池重量可降低40%。同時電池壽命增加，系統(tǒng)熱值降低，整個系統(tǒng)體積不斷減小。
 
 
本文關(guān)鍵詞：SRAM,存儲器,DRAM

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