由CYPRESS、瑞薩、IDT、NEC和三星公司組成的QDR協(xié)會(huì)開發(fā)出了QDR SRAM，旨在通過(guò)把性能提升為原先的4倍來(lái)滿足那些不僅需要標(biāo)準(zhǔn)ZBT(零總線轉(zhuǎn)向時(shí)間)或NoBL(無(wú)總線延遲)SRAM的低延遲和滿周期利用率，而且還需要大幅度提高工作頻率的系統(tǒng)對(duì)帶寬的要求。
 

QDR SRAM具有單獨(dú)的讀和寫端口，它們?cè)诿總€(gè)數(shù)據(jù)引腳上以雙倍數(shù)據(jù)速率彼此獨(dú)立地工作，從而在一個(gè)時(shí)鐘周期中傳輸4個(gè)數(shù)據(jù)字，4倍數(shù)據(jù)速率因此而得名。采用分離的讀/寫端口完全消除了SRAM與存儲(chǔ)控制器之間發(fā)生總線爭(zhēng)用的可能性，而這卻是傳統(tǒng)的公用I/O器件需要解決的問(wèn)題。QDRII SRAM具有被稱為回波時(shí)鐘的源同步時(shí)鐘，它們與數(shù)據(jù)輸出一道生成。QDR SRAM采用了HSTL(高速收發(fā)器邏輯)I/O標(biāo)準(zhǔn)，以便實(shí)現(xiàn)高速操作。
 

QDR SRAM面向那些需要在讀和寫操作之間進(jìn)行轉(zhuǎn)換的應(yīng)用，而DDR SRAM則主要面向需要進(jìn)行數(shù)據(jù)流式處理(例如，先進(jìn)行16項(xiàng)讀操作，然后再執(zhí)行16項(xiàng)寫操作)的應(yīng)用，此時(shí)讀和寫操作之間的近期平衡為100%的讀操作或100%的寫操作。
 

在這種情況下，有一根QDR SRAM總線在50%的時(shí)間里未被使用。其它的總線可能具有不平衡的近期讀/寫比例。后面這兩種情況是促使人們進(jìn)行DDR公用I/O SRAM開發(fā)的主要原因，在這種器件中，輸入和輸出數(shù)據(jù)共用同一根總線。在從讀操作向?qū)懖僮鬓D(zhuǎn)換的過(guò)程中，需要總線轉(zhuǎn)向周期，并減小了可用帶寬。然而對(duì)某些系統(tǒng)而言，這將產(chǎn)生優(yōu)于QDR架構(gòu)的平均總線利用率?？刂菩盘?hào)極少，而且與QDR器件控制信號(hào)稍有不同。