帶ECC的CMOS汽車異步SRAM
來源：宇芯有限公司 日期：2020-03-23 10:19:39
ISSI IS61/64WV5128EDBLL描述
ISSI IS61/64WV5128EDBLL是高速
異步SRAM，4,194,304位靜態(tài)RAM，組織為524,288字乘8位，采用ISSI的高性能CMOS技術制造，這種高度可靠的工藝與創(chuàng)新的電路設計技術相結(jié)合，可提供高性能和高性能低功耗設備。
當CE為高電平（取消選擇）時，器件將進入待機模式，在該模式下，可以通過CMOS輸入電平降低功耗。
通過使用芯片使能和輸出使能輸入CE和OE，可以輕松擴展存儲器。激活的LOW Write Enable（WE）控制存儲器的寫入和讀取。
IS61/ 64WV5128EDBLL封裝在JEDEC標準的44引腳TSOP-II，36引腳SOJ和36引腳Mini BGA（6mm x 8mm）中。
產(chǎn)品特征
•高速訪問時間：8、10 ns
•低有功功率：85 mW（典型值）
•低待機功率：7 mW（典型值）
CMOS待機
•單電源
-Vdd 2.4V至3.6V（10 ns）
-Vdd 3.3V±10％（8 ns）
•完全靜態(tài)操作：無需時鐘或刷新
•三態(tài)輸出
•工業(yè)和汽車溫度支持
•無鉛
•錯誤檢測和錯誤糾正
ISSI 同系列主要產(chǎn)品
| 型號 |
容量 |
位寬 |
電壓(V) |
速度(ns) |
封裝(Pins) |
| IS61WV5128EDBLL |
4Mb |
512Kx8 |
2.4-3.6V |
8,10 |
TSOP2(44),BGA(36) |
| IS61WV5128ALL/BLL |
4Mb |
512Kx8 |
1.65-3.6V |
8,10,20 |
SOJ(36),TSOP2(44),BGA(36) |
| IS64WV5128EDBLL |
4Mb |
512Kx8 |
2.4-3.6V |
10 |
TSOP2(44),BGA(36) |
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