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SRAM存儲(chǔ)單元讀操作分析
來源：宇芯有限公司 日期：2020-04-28 10:10:41
一個(gè)典型的SRAM基本結(jié)構(gòu)中，每個(gè)存儲(chǔ)單元都通過字線和位線與它所在的行和列中的其它存儲(chǔ)單元有電學(xué)連接關(guān)系。水平方向的連線把所有的存儲(chǔ)單元連成一行構(gòu)成字線，而垂直方向的連線是數(shù)據(jù)輸入和數(shù)據(jù)輸出存儲(chǔ)單元的通路，稱為位線。每一個(gè)存儲(chǔ)單元都能通過選擇適當(dāng)?shù)淖志€和位線被唯一地定位。宇芯有限公司介紹關(guān)于SRAM存儲(chǔ)器的讀操作分析。
SRAM存儲(chǔ)單元讀操作分析
存儲(chǔ)單元的讀操作是指被尋址的存儲(chǔ)單元將它存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)送到相應(yīng)位線上的操作。圖3.5 表示的是進(jìn)行讀操作的一個(gè)SRAM單元，兩條位線開始都是浮空為高電平。假設(shè)當(dāng)前單元中存儲(chǔ)的值為邏輯“1”，即節(jié)點(diǎn)A為高電平，節(jié)點(diǎn)B為低電平。
讀操作開始前，位線BIT和BIT_被預(yù)充電，預(yù)充電平的典型值是電源電壓。讀操作過程中字線ROW被驅(qū)動(dòng)到高電平，打開傳輸管N3 和N4。由于節(jié)點(diǎn)A為高電平，節(jié)點(diǎn)B為低電平，位線BIT_就會(huì)經(jīng)過N4 和N2 放電，電平逐漸降低；此時(shí)，由于N3管源漏電壓近似相等，因此只有很小的電流流過，位線BIT會(huì)繼續(xù)保持高電平狀態(tài)。
隨著BIT_的放電，BIT和BIT_之間的差分電壓逐漸增大；差分電壓增大到一定程度后，靈敏放大器將放大并輸出差分電壓。但操作有兩點(diǎn)需要我們注意：當(dāng)字線電平升高之后，N4 和N2 的分壓作用將使節(jié)點(diǎn)B的電平升高，很可能使得N1 導(dǎo)通，從而對(duì)節(jié)電A放電。如果泄放掉的電荷較少（VGS≥Vth，若泄放電的電荷較多，有可能使得N3 管截止），可能導(dǎo)致N3 打開，位線BIT會(huì)放電，增加差分電壓的建立時(shí)間；如果泄放電的電荷較多，那么P2 就可能成為導(dǎo)通狀態(tài)，進(jìn)一步抬高B點(diǎn)的電平，從而使得存儲(chǔ)數(shù)據(jù)從“1”翻轉(zhuǎn)為“0”，即發(fā)生所謂的“讀翻轉(zhuǎn)”。
VTI代理宇芯有限公司SRAM存儲(chǔ)器型號(hào)
關(guān)鍵詞：SRAM SRAM讀寫
宇芯有限公司自成立以來，我們專注于代理國內(nèi)外各大知名品牌的半導(dǎo)體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來?xiàng)頛yontek、ISSI、CYPRESS等多個(gè)品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲(chǔ)器芯片，致力于為客戶提供具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲(chǔ)方案解決商。
圖1 六管單元的讀出操作
SRAM存儲(chǔ)單元讀操作分析
存儲(chǔ)單元的讀操作是指被尋址的存儲(chǔ)單元將它存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)送到相應(yīng)位線上的操作。圖3.5 表示的是進(jìn)行讀操作的一個(gè)SRAM單元，兩條位線開始都是浮空為高電平。假設(shè)當(dāng)前單元中存儲(chǔ)的值為邏輯“1”，即節(jié)點(diǎn)A為高電平，節(jié)點(diǎn)B為低電平。
讀操作開始前，位線BIT和BIT_被預(yù)充電，預(yù)充電平的典型值是電源電壓。讀操作過程中字線ROW被驅(qū)動(dòng)到高電平，打開傳輸管N3 和N4。由于節(jié)點(diǎn)A為高電平，節(jié)點(diǎn)B為低電平，位線BIT_就會(huì)經(jīng)過N4 和N2 放電，電平逐漸降低；此時(shí)，由于N3管源漏電壓近似相等，因此只有很小的電流流過，位線BIT會(huì)繼續(xù)保持高電平狀態(tài)。
隨著BIT_的放電，BIT和BIT_之間的差分電壓逐漸增大；差分電壓增大到一定程度后，靈敏放大器將放大并輸出差分電壓。但操作有兩點(diǎn)需要我們注意：當(dāng)字線電平升高之后，N4 和N2 的分壓作用將使節(jié)點(diǎn)B的電平升高，很可能使得N1 導(dǎo)通，從而對(duì)節(jié)電A放電。如果泄放掉的電荷較少（VGS≥Vth，若泄放電的電荷較多，有可能使得N3 管截止），可能導(dǎo)致N3 打開，位線BIT會(huì)放電，增加差分電壓的建立時(shí)間；如果泄放電的電荷較多，那么P2 就可能成為導(dǎo)通狀態(tài)，進(jìn)一步抬高B點(diǎn)的電平，從而使得存儲(chǔ)數(shù)據(jù)從“1”翻轉(zhuǎn)為“0”，即發(fā)生所謂的“讀翻轉(zhuǎn)”。
VTI代理宇芯有限公司SRAM存儲(chǔ)器型號(hào)
| 型號(hào) | 位寬 | 容量 | 溫度 | 電壓(V) | 速度(ns) | C/S Option | 封裝 | 包裝 | 狀態(tài) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VTI508NL16 | 512K x 16 | 8Mbit | Industrial | 3.3 | 45/55 | 1C/S | 44TSOP2 | Tray | MP |
| VTI508NL16 | 512K x 16 | 8Mbit | Industrial | 3.3 | 45/55 | 1C/S | 48BGA | Tray | MP |
| VTI508HB08 | 1M x 8 | 8Mbit | Industrial | 5.0 | 45/55 | 2C/S | 48BGA | Tray | MP |
| VTI508HB08 | 1M x 8 | 8Mbit | Industrial | 5.0 | 45/55 | 2C/S | 44TSOP2 | Tray | MP |
| VTI508NB16 | 512K x 16 | 8Mbit | Industrial | 3.3 | 45/55 | 2C/S | 48BGA | Tray | MP |
| VTI508NB16 | 512K x 16 | 8Mbit | Industrial | 3.3 | 45/55 | 2C/S | 44TSOP2 | Tray | MP |
| VTI508NB08 | 1M x 8 | 8Mbit | Industrial | 3.3 | 45/55 | 2C/S | 48BGA | Tray | MP |
| VTI508NB08 | 1M x 8 | 8Mbit | Industrial | 3.3 | 45/55 | 2C/S | 44TSOP2 | Tray | MP |
| VTI508HB16 | 512K x 16 | 8Mbit | Industrial | 5.0 | 45/55 | 2C/S | 48BGA | Tray | MP |
| VTI508HL16 | 512K x 16 | 8Mbit | Industrial | 5.0 | 45/55 | 1C/S | 48BGA | Tray | MP |
| VTI508HL16 | 512K x 16 | 8Mbit | Industrial | 5.0 | 45/55 | 1C/S | 44TSOP2 | Tray | MP |
關(guān)鍵詞：SRAM SRAM讀寫
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