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鐵電RAM的優(yōu)勢(shì)
來源：宇芯有限公司 日期：2020-05-07 10:23:44
隨著使鐵電存儲(chǔ)器FRAM的非揮發(fā)性，利用晶體的偏振提供了許多優(yōu)于基于電荷的存儲(chǔ)技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)（見表1）。因?yàn)樗苊饬烁偶夹g(shù)的潛在的降解效果，F(xiàn)RAM存儲(chǔ)器和其保存數(shù)據(jù)的功率損耗的面能力的壽命幾乎是無限的。例如FRAM存儲(chǔ)器設(shè)備，如富士通半導(dǎo)體MB85R1001A和ROHM半導(dǎo)體MR48V256A所有指定10年的數(shù)據(jù)保持性能。下列表格是各類存儲(chǔ)器的比較。
表1：FRAM與其它存儲(chǔ)器技術(shù)比較。
鐵電RAM存儲(chǔ)由鐵電材料鋯鈦酸鉛的偏振的裝置，或PZT（Pb（上ZrTi）O 3），它被置于兩個(gè)電極類似的電容器的結(jié)構(gòu)之間的膜。與DRAM中，在FRAM中陣列的每一位被讀出和單獨(dú)寫入，但在DRAM的使用的晶體管和電容器來存儲(chǔ)比特，F(xiàn)RAM采用在晶體結(jié)構(gòu)中的偶極移引起的施加電場(chǎng)的相應(yīng)位跨電極（圖1）。因?yàn)樵撈袢匀皇侨サ綦妶?chǎng)之后，F(xiàn)RAM數(shù)據(jù)仍然存在無限期即使沒有可用功率 - 用于設(shè)計(jì)搭載不確定環(huán)境來源的重要能力。
富士通半導(dǎo)體FRAM細(xì)胞電場(chǎng)的圖像
圖1：在FRAM細(xì)胞，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)為偏振引起的施加電場(chǎng)橫跨PZT膜的狀態(tài) - 一種方法，使擴(kuò)展的數(shù)據(jù)保留，并消除在浮柵技術(shù)中遇到的磨損。
通過省去了在浮柵存儲(chǔ)器技術(shù)所需電荷泵，F(xiàn)RAM可以在3.3V或更低的典型電源范圍內(nèi)工作。與存儲(chǔ)電荷的存儲(chǔ)器設(shè)備，F(xiàn)RAM裝置具有耐α粒子和通常表現(xiàn)出軟錯(cuò)誤率（SER）檢測(cè)極限以下。
關(guān)鍵詞：鐵電RAM
宇芯有限公司自成立以來，我們專注于代理國內(nèi)外各大知名品牌的半導(dǎo)體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來?xiàng)頛yontek、ISSI、CYPRESS等多個(gè)品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲(chǔ)器芯片，致力于為客戶提供具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲(chǔ)方案解決商。
| FRAM | EEPROM | FLASH | SRAM | |
| Memory Type | Non-volatile | Non-volatile | Non-volatile | Volatile |
| Write Method | Overwrite | Erase + Write | Erase + Write | Overwrite |
| Write Cycle Time | 150 ns | 5 ms | 10 μs | 55 ns |
| Read/Write Cycles | 1013 | 106 | 105 | Unlimited |
| Booster Circuit | No | Yes | Yes | No |
| Data Backup Battery | No | No | No | Yes |
表1：FRAM與其它存儲(chǔ)器技術(shù)比較。
鐵電RAM存儲(chǔ)由鐵電材料鋯鈦酸鉛的偏振的裝置，或PZT（Pb（上ZrTi）O 3），它被置于兩個(gè)電極類似的電容器的結(jié)構(gòu)之間的膜。與DRAM中，在FRAM中陣列的每一位被讀出和單獨(dú)寫入，但在DRAM的使用的晶體管和電容器來存儲(chǔ)比特，F(xiàn)RAM采用在晶體結(jié)構(gòu)中的偶極移引起的施加電場(chǎng)的相應(yīng)位跨電極（圖1）。因?yàn)樵撈袢匀皇侨サ綦妶?chǎng)之后，F(xiàn)RAM數(shù)據(jù)仍然存在無限期即使沒有可用功率 - 用于設(shè)計(jì)搭載不確定環(huán)境來源的重要能力。
富士通半導(dǎo)體FRAM細(xì)胞電場(chǎng)的圖像
圖1：在FRAM細(xì)胞，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)為偏振引起的施加電場(chǎng)橫跨PZT膜的狀態(tài) - 一種方法，使擴(kuò)展的數(shù)據(jù)保留，并消除在浮柵技術(shù)中遇到的磨損。
通過省去了在浮柵存儲(chǔ)器技術(shù)所需電荷泵，F(xiàn)RAM可以在3.3V或更低的典型電源范圍內(nèi)工作。與存儲(chǔ)電荷的存儲(chǔ)器設(shè)備，F(xiàn)RAM裝置具有耐α粒子和通常表現(xiàn)出軟錯(cuò)誤率（SER）檢測(cè)極限以下。
關(guān)鍵詞：鐵電RAM
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