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ISSI IS62WV20488EALL低電壓2Mx8并口SRAM

來源:宇芯電子 日期:2020-05-29 10:24:15

ISSI IS62WV20488EALL/BL和IS65WV20488EALL/BLL是高速16M位SRAM,組織為2M字乘8位。它主要是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的。這種高度可靠的工藝再加上創(chuàng)新的電路設(shè)計技術(shù),生產(chǎn)出高性能優(yōu)質(zhì)和低功耗的設(shè)備。
 
當(dāng)為高電平(取消選擇)或CS2為低電平(取消選擇)時,器件將會進入待機模式,在該模式下可以通過CMOS輸入電平降低功耗。使用芯片能和輸出使能輸入可輕松擴展存儲器。激活的LOW Write Enable(低寫使能)控制存儲器的寫入和讀取。IS62WV20488EALL均采用JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的48引腳微型BGA(6mm x 8mm)封裝。ISSI代理商宇芯電子可提供樣品及技術(shù)支持.
 
框圖
 
 
特征
高速訪問時間:45ns,55ns
·CMOS低功耗操作
– 30 mW(典型值)運行
– 12 µW(典型值)CMOS待機
·TTL兼容接口級別
·單電源
–1.65V–1.98V Vdd(62 / 65WV20488EALL)
– 2.2V--3.6V Vdd(62 / 65WV20488EBLL)
·完全靜態(tài)操作:無需時鐘或刷新
·工業(yè)(-40oC至+ 85oC)和汽車(-40oC至+ 125oC)溫度支持
 
 工作溫度范圍
 

 

關(guān)鍵詞:SRAM   并口SRAM  IS62WV20488EALL


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