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汽車導(dǎo)航系統(tǒng)應(yīng)用富士通FRAM鐵電存儲器MB85R2001

來源:宇芯有限公司 日期:2020-06-24 09:59:49

MB85R2001是一種富士通FRAM芯片,由262,144字×8位非易失性存儲單元組成,這些單元使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)創(chuàng)建。能夠保留數(shù)據(jù),而無需使用SRAM所需的備用電池。MB85R2001中使用的存儲單元可用于1010次讀/寫操作,與Flash存儲器 和E2PROM支持的讀和寫操作數(shù)量相比,有了顯著改進(jìn)。使用與常規(guī)異步SRAM兼容的偽SRAM接口。
 
引腳
 
 
富士通的 MB85R2001和MB85R2002具有非易失性存儲器,具有高速數(shù)據(jù)寫入,低功耗和提供大量寫入周期的能力。
 
框圖

 
MB85R2001和MB85R2002 FRAM芯片是汽車導(dǎo)航系統(tǒng),多功能打印機(jī),測量儀器和其他高級應(yīng)用的理想選擇,這些應(yīng)用可以使用非易失性存儲器來存儲各種參數(shù),記錄設(shè)備的運(yùn)行狀況并保存安全信息。
 
 
MB85R2001的配置為256K字x 8位,而MB85R2002的配置為128K字x 16位。MB85R2001和MB85R2002均具有100ns的讀取訪問時(shí)間和150ns的讀/寫周期時(shí)間。MB85R2001和MB85R2002的工作電壓為3V至3.6V。富士通代理商提供產(chǎn)品技術(shù)支持及解決方案。


關(guān)鍵詞:FRAM   富士通FRAM


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