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串行MRAM消耗的能量
來(lái)源：宇芯有限公司 日期：2020-09-03 14:20:32
MR25H256是一個(gè)串行MRAM，具有使用串行外圍設(shè)備接口的芯片選擇（CS），串行輸入（SI），串行輸出（SO）和串行時(shí)鐘（SCK）的四針接口在邏輯上組織為32Kx8的存儲(chǔ)器陣列。 SPI）總線。串行MRAM實(shí)現(xiàn)了當(dāng)今SPI EEPROM和閃存組件通用的命令子集，從而允許MRAM替換同一插槽中的這些組件并在共享SPI總線上進(jìn)行互操作。與可用的串行存儲(chǔ)器替代方案相比，串行MRAM具有卓越的寫(xiě)入速度，無(wú)限的耐用性，低待機(jī)和運(yùn)行能力以及更可靠的數(shù)據(jù)保留。
對(duì)于MRAM，基于Everspin Technologies的256kb串行SPI MRAM MR25H256進(jìn)行評(píng)估。表3顯示，當(dāng)使用去耦電容器的所有能量時(shí)，每個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)的能量最低。應(yīng)選擇去耦電容的大小，以匹配系統(tǒng)通常獲取的數(shù)據(jù)量。
-μF電容器允許以40 MHz在SPI總線上寫(xiě)入50字節(jié)（46個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)），而MRAM消耗27 mA。此計(jì)算是使用46個(gè)字節(jié)進(jìn)行比較的來(lái)源。
MCU和LDO消耗的能量
對(duì)于MCU，可能需要100μs的時(shí)間才能喚醒，進(jìn)行測(cè)量，并將結(jié)果傳達(dá)給非易失性存儲(chǔ)器并進(jìn)行必要的內(nèi)部管理。在此期間，我們假設(shè)有功電流消耗為500μA（運(yùn)行于約5 MHz的小型MCU的典型值）。因此，每次數(shù)據(jù)采集消耗的能量為3.3 V×500μA×100μs= 0.165μJ。
除了進(jìn)行采集的能量外，我們還應(yīng)考慮在非易失性存儲(chǔ)器寫(xiě)入期間保持MCU處于活動(dòng)狀態(tài)所需的能量。當(dāng)不獲取或存儲(chǔ)數(shù)據(jù)時(shí)，MCU處于休眠狀態(tài)，消耗5μA電流。假定電源為一個(gè)LDO，在所有操作階段（活動(dòng)和睡眠）均消耗1μA電流。
Everspin串行MRAM
關(guān)鍵詞： MRAM Everspin MRAM
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宇芯有限公司自成立以來(lái)，我們專(zhuān)注于代理國(guó)內(nèi)外各大知名品牌的半導(dǎo)體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來(lái)?xiàng)頛yontek、ISSI、CYPRESS等多個(gè)品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲(chǔ)器芯片，致力于為客戶提供具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品，是一家專(zhuān)業(yè)提供存儲(chǔ)方案解決商。
對(duì)于MRAM，基于Everspin Technologies的256kb串行SPI MRAM MR25H256進(jìn)行評(píng)估。表3顯示，當(dāng)使用去耦電容器的所有能量時(shí)，每個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)的能量最低。應(yīng)選擇去耦電容的大小，以匹配系統(tǒng)通常獲取的數(shù)據(jù)量。
-μF電容器允許以40 MHz在SPI總線上寫(xiě)入50字節(jié)（46個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)），而MRAM消耗27 mA。此計(jì)算是使用46個(gè)字節(jié)進(jìn)行比較的來(lái)源。
MCU和LDO消耗的能量
對(duì)于MCU，可能需要100μs的時(shí)間才能喚醒，進(jìn)行測(cè)量，并將結(jié)果傳達(dá)給非易失性存儲(chǔ)器并進(jìn)行必要的內(nèi)部管理。在此期間，我們假設(shè)有功電流消耗為500μA（運(yùn)行于約5 MHz的小型MCU的典型值）。因此，每次數(shù)據(jù)采集消耗的能量為3.3 V×500μA×100μs= 0.165μJ。
除了進(jìn)行采集的能量外，我們還應(yīng)考慮在非易失性存儲(chǔ)器寫(xiě)入期間保持MCU處于活動(dòng)狀態(tài)所需的能量。當(dāng)不獲取或存儲(chǔ)數(shù)據(jù)時(shí)，MCU處于休眠狀態(tài)，消耗5μA電流。假定電源為一個(gè)LDO，在所有操作階段（活動(dòng)和睡眠）均消耗1μA電流。
Everspin串行MRAM
| 型號(hào) | 容量 | 位寬 | 電壓(V) | 溫度 | 封裝 | MOQ /托盤(pán) | MOQ /卷帶 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MR25H40CDC | 4Mb | 512Kx8 | 3.3V | -40℃to+85℃ | 8-DFN | 570 | 4,000 |
| MR20H40CDF | 4Mb | 512Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN sf | 570 | 4,000 |
| MR25H40CDF | 4Mb | 512Kx8 | 3.3V | -40 ℃to +85℃ | 8-DFN sf | 570 | 4,000 |
| MR25H40MDF | 4Mb | 512Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN sf | 570 | 4,000 |
| MR25H10CDC | 1Mb | 128Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN | 570 | 4,000 |
| MR25H10MDC | 1Mb | 128Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN | 570 | 4,000 |
| MR25H10CDF | 1Mb | 128Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN sf | 570 | 4,000 |
| MR25H10MDF | 1Mb | 128Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN sf | 570 | 4,000 |
| MR25H256CDC | 256Kb | 32Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN | 570 | 4,000 |
| MR25H256MDC | 256Kb | 32Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN | 570 | 4,000 |
| MR25H256CDF | 256Kb | 32Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN sf | 570 | 4,000 |
| MR25H256MDF | 256Kb | 32Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN sf | 570 | 4,000 |
關(guān)鍵詞： MRAM Everspin MRAM
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