非易失性存儲(chǔ)器在高級(jí)節(jié)點(diǎn)上變得越來(lái)越復(fù)雜，在高級(jí)節(jié)點(diǎn)上的價(jià)格和速度，功率和利用率正在成為一些非常特定于應(yīng)用程序的折衷，以決定該存儲(chǔ)器的放置位置。
 
NVM可以嵌入到芯片中，也可以使用各種類型的互連技術(shù)將其移出芯片。但是這個(gè)決定比它最初看起來(lái)要復(fù)雜得多。它取決于過(guò)程節(jié)點(diǎn)和電壓，NVM的類型以及其中存儲(chǔ)的內(nèi)容以及整個(gè)芯片或系統(tǒng)的預(yù)算。
 
性能最高的處理器使用的工藝幾何尺寸最小，這反過(guò)來(lái)將對(duì)NVM提出最高要求。NVM面臨的一些挑戰(zhàn)是在較小的幾何尺寸上擴(kuò)展容量的相對(duì)困難，以及需要實(shí)施更高的電壓來(lái)對(duì)單元進(jìn)行編程。在更精細(xì)的工藝幾何尺寸下，可能需要更多的裸片面積來(lái)支持額外的處理核心所需的容量，并且可能需要額外的制造成本來(lái)支持更高的電壓。
 
這已成為在較小幾何尺寸的功率/性能改進(jìn)與可以經(jīng)濟(jì)高效地嵌入多少內(nèi)存之間的一種平衡方法。
 
在非易失性存儲(chǔ)器中，當(dāng)降至40nm以下時(shí)，嵌入它的成本將變得非常高，因此可能最終會(huì)在內(nèi)部使用更多的SRAM，但隨后將NVM委托給外部設(shè)備。但是這樣做時(shí)，挑戰(zhàn)就變成了具有足夠的帶寬性能以能夠以省電的方式執(zhí)行。
 
一些MCU公司正在轉(zhuǎn)向外部存儲(chǔ)器而不是內(nèi)部存儲(chǔ)器，并使用性能更高的八進(jìn)制NVM來(lái)做到這一點(diǎn)。
 
這樣做的優(yōu)點(diǎn)之一是簡(jiǎn)單。因此，裸NAND設(shè)備正趨向于固態(tài)驅(qū)動(dòng)器和存儲(chǔ)卡，對(duì)需要直接與裸NAND接口的設(shè)備（不包括存儲(chǔ)控制器）的要求越來(lái)越少。
 
隨著SPI（串行外設(shè)接口）總線上設(shè)備的多樣性增加，以及高速SPI接口（特別是四路SPI，八路SPI，xSPI）的泛濫，它已經(jīng)成為一種非常有趣的總線，除了啟動(dòng)并直接執(zhí)行之外公交車。這種方法在恩智浦不具有片上嵌入式存儲(chǔ)器的微控制器系列中很明顯。
 
 
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