DRAM是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢(shì)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,每一個(gè)bit的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來(lái)處理，相比之下在SRAM存儲(chǔ)芯片上一個(gè)bit通常需要六個(gè)晶體管。因此DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商宇芯電子本篇文章主要介紹關(guān)于DRAM的基本知識(shí)。
 
DRAM存儲(chǔ)原理
DRAM的每一位存儲(chǔ)單元采用一個(gè)晶體管和小電容來(lái)實(shí)現(xiàn)。若寫(xiě)入位為“1”，則電容被充電:若寫(xiě)入位為“0”，則電容不被充電。讀出時(shí)用晶體管來(lái)讀與之相連的電容的電荷狀態(tài)。若電容被充電，則該位為“1”;若電容沒(méi)有被充電，則該位為“O”。

 
由于電容存在漏電阻，因此每個(gè)位單元都必須不斷地、周期性地對(duì)進(jìn)行充電，以維持原來(lái)的數(shù)據(jù)不丟失，此行為稱(chēng)之為刷新。
 
DRAM特點(diǎn)
由于每個(gè)存儲(chǔ)位僅用一個(gè)晶體管和小電容，因此集成度比較高。就單個(gè)芯片的存儲(chǔ)容量而言，DRAM可以遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)SRAM;就相同容量的芯片而言，DRAM的價(jià)格也大大低于SRAM。這兩個(gè)優(yōu)點(diǎn)使DRAM成為計(jì)算機(jī)內(nèi)存的主要角色。DRAM的行列地址分時(shí)復(fù)用控制和需要刷新控制，使得它比SRAM的接口要復(fù)雜一些。DRAM的存取速度一般比SRAM要慢。
 
DRAM推薦型號(hào)

 
SRAM與DRAM的區(qū)別
SRAM
1.速度快
2.不需要刷新可保持?jǐn)?shù)據(jù)
3.無(wú)需MCU帶特殊接口
4.容量小，256Kb-16Mb
5.集成度低，單位容量?jī)r(jià)格高
6.靜態(tài)功耗低，運(yùn)行功耗大
 
DRAM
1.速度較慢
2.需要刷新來(lái)保持?jǐn)?shù)據(jù)
3.需要MCU帶外部存儲(chǔ)控制器
4.容量大，16Mb-4Gb
5.集成度高，單位容量?jī)r(jià)格低
6.運(yùn)行功耗低
 
 
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