在嵌入式系統(tǒng)中，F(xiàn)lash和EEPROM能夠存儲可用于通信或執(zhí)行某些功能的數(shù)據(jù)。它們可以通過多種不同的串行協(xié)議（包括SPI或串行外圍設(shè)備接口）來連接存儲設(shè)備。在單片機中也集成了多種不同類型的SPI存儲設(shè)備，包括Flash和EEPROM。
 
一、Flash和EEPROM之間的差異
 
Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲器。非易失性存儲器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無需持續(xù)供電，即使關(guān)閉電源也能保存數(shù)據(jù)信息。它們都是電子可寫和可擦除存儲器，用以存儲單片機的應(yīng)用程序及數(shù)據(jù)信息。這些數(shù)據(jù)可在芯片上或芯片外存儲信息。
 
盡管Flash和EEPROM設(shè)備都可以存儲嵌入式設(shè)備中使用的信息，但是它們的體系結(jié)構(gòu)和用于讀取，寫入和擦除數(shù)據(jù)的操作略有不同。而EEPROM指的是電可擦可編程只讀存儲器是一種存儲器，可以在字節(jié)級別讀取，寫入和擦除數(shù)據(jù)。另一方面Flash是EEPROM的一種，在結(jié)構(gòu)上以塊的形式排列，在塊中擦除數(shù)據(jù)，并且可以在字節(jié)級別讀取或?qū)懭霐?shù)據(jù)。
 
二、使用閃存與EEPROM有什么優(yōu)缺點？
 
使用閃存或EEPROM設(shè)備有很多優(yōu)點和缺點：
 
由于EEPROM以字節(jié)為單位運行其擦除功能，因此這增加了清除和編輯設(shè)備所花費的時間，但允許開發(fā)人員在需要時編輯特定部分。閃存能夠擦除大量數(shù)據(jù)，從而大大提高了擦除速度，并使設(shè)備可以更緊湊地存儲信息。但是由于這個原因，它也失去了編輯某些字節(jié)的能力，從而迫使開發(fā)人員在進行任何更改時都重寫整個數(shù)據(jù)塊。
 
在存儲設(shè)備上執(zhí)行多個擦除和寫入周期將導(dǎo)致其最終隨著時間的推移而降級。使用EEPROM的優(yōu)點之一是使用壽命更長。EEPROM在其生命周期內(nèi)最多可以執(zhí)行1000000個擦除/重寫周期。根據(jù)閃存的類型，閃存的使用壽命會縮短，大多數(shù)閃存產(chǎn)品在磨損開始惡化存儲完整性之前，能夠承受大約10000至1000000次擦除/寫入循環(huán)。就大小和成本而言，閃存具有比EEPROM更小的存儲單元尺寸，并且實現(xiàn)成本更低。


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