從市場(chǎng)規(guī)模來(lái)看，當(dāng)下最主流的存儲(chǔ)器是DRAM，Nand Flash和NOR Flash，這三者占據(jù)了所有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器規(guī)模的95%左右，尤其是前兩者，占總量約9成，市場(chǎng)規(guī)模均在數(shù)百億美元。
   
其中DRAM 2018年的市場(chǎng)規(guī)模已達(dá)到1000億美元，根據(jù)IC Insights最新預(yù)測(cè),預(yù)計(jì)到2026年全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到1219億美元左右。相對(duì)DRAM和NAND來(lái)說(shuō)，NOR Flash的市場(chǎng)要小的多，全球規(guī)模約30億美元，分散程度也更大。
 
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是一個(gè)高度壟斷的市場(chǎng)，DRAM和NAND Flash基本被前三大公司包攬，且近年來(lái)壟斷程度逐步加劇。根據(jù)中國(guó)閃存市場(chǎng)的數(shù)據(jù)顯示，2020年DRAM市場(chǎng)95%的份額被三星、SK海力士和美光占據(jù)，而三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士、英特爾則占據(jù)了NAND市場(chǎng)約99%的份額。
 
具體看這三大存儲(chǔ)器，他們各有不同：
   
DRAM數(shù)據(jù)易失且容量小。盡管DRAM多項(xiàng)性能都很優(yōu)秀——納秒級(jí)別的延遲，數(shù)十GB/S的帶寬，接近于“長(zhǎng)生不老”的壽命；然而它是易失性存儲(chǔ)器，即斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失，而且，其成本比閃存高，容量也較小。
 
NAND Flash延遲長(zhǎng)及壽命短，平面微縮已到極限。其每次寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)需要施加高壓，讓電子突破晶體管的氧化膜進(jìn)入浮動(dòng)?xùn)艠O，這一過(guò)程會(huì)對(duì)氧化膜造成不可逆的損害，性能最好的SLC NAND，讀寫(xiě)次數(shù)也只有10萬(wàn)次左右，而差一些的MLC、TLC的讀寫(xiě)壽命均以千次為量級(jí)。
 
NOR Flash特點(diǎn)是芯片內(nèi)執(zhí)行（XIP，Execute In Place），即應(yīng)用程序不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中，而是直接在Flash閃存內(nèi)運(yùn)行，故其傳輸效率很高，讀取速度快，在1~4MB的小容量時(shí)具有很高的成本效益，主要被用來(lái)存儲(chǔ)程序。然而NOR的器件結(jié)構(gòu)要求其在進(jìn)行擦除前先要將所有的位都寫(xiě)入0，這就使得其擦除速度很低，同時(shí)由于閃存在寫(xiě)入數(shù)據(jù)之前，均要求進(jìn)行擦除，故這也會(huì)影響到NOR的寫(xiě)入速度。
 
綜上所述是這三類主流存儲(chǔ)器都存在各自的優(yōu)缺點(diǎn)，并且隨著技術(shù)的發(fā)展，他們的缺點(diǎn)也在被逐漸放大。存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商宇芯電子支持提供樣品測(cè)試及技術(shù)支持。


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