Everspin公司型號(hào)MR25H10CDC是一個(gè)1,048,576位磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)設(shè)備，組織為131,072個(gè)8位字。MR25H10CDC提供串行EEPROM和串行閃存兼容讀/寫時(shí)序，無(wú)寫延遲和無(wú)限讀/寫耐久性。與其他串行存儲(chǔ)器不同，讀取和寫入都可以在存儲(chǔ)器中隨機(jī)發(fā)生，寫入之間沒(méi)有延遲。對(duì)于必須使用少量I/O引腳快速存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序，MR25H10CDC是理想的存儲(chǔ)器解決方案。
 
MR25H10CDC采用5mmx6mm 8引腳DFN封裝與串行EEPROM、閃存和FeRAM產(chǎn)品兼容。MR25H10CDC在很寬的溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。該產(chǎn)品提供工業(yè)（-40°至+85°C）和AEC-Q1001級(jí)（-40°C至+125°C）工作溫度范圍選項(xiàng)。
 
MR25H10CDC特征
•無(wú)寫入延遲
•無(wú)限寫入耐久性
•數(shù)據(jù)保留超過(guò)20年
•斷電時(shí)自動(dòng)數(shù)據(jù)保護(hù)
•塊寫保護(hù)
•快速、簡(jiǎn)單的SPI接口，時(shí)鐘速率高達(dá)40MHz
•2.7至3.6伏電源范圍
•低電流睡眠模式
•工業(yè)溫度
•提供8引腳DFN兼容封裝
•直接替代串行EEPROM、閃存、FeRAM
•AEC-Q1001級(jí)選項(xiàng)
 
MR25H10CDC是一個(gè)串行MRAM，內(nèi)存陣列邏輯組織為 128Kx8，使用串行外圍接口(SPI)總線的片選(CS)、串行輸入(SI)、串行輸出(SO)和串行時(shí)鐘(SCK)四個(gè)引腳接口 . 串行MRAM實(shí)現(xiàn)了當(dāng)今SPI EEPROM和閃存組件通用的命令子集，允許MRAM替換同一插槽中的這些組件并在共享SPI總線上進(jìn)行互操作。與可用的串行存儲(chǔ)器替代品相比，串行MRAM提供卓越的寫入速度、無(wú)限的耐用性、低待機(jī)和操作功率以及更可靠的數(shù)據(jù)保留。代理商宇芯電子提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)方面支持。


MR25H10型號(hào)表

型號(hào)	容量	位寬	電壓(V)	溫度	封裝	MOQ /托盤	MOQ /卷帶
MR25H10CDC	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN	570	4,000
MR25H10MDC	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN	570	4,000
MR25H10CDF	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN sf	570	4,000
MR25H10MDF	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN sf	570	4,000

關(guān)鍵詞：MR25H10CDC