FRAM(鐵電RAM)是一種具有快速寫(xiě)入速度的非易失性存儲(chǔ)器。FRAM不需要備用電池來(lái)保留數(shù)據(jù)，并且具有更高的讀/寫(xiě)耐久性，更快的寫(xiě)入速度操作和更低的功耗。我們量產(chǎn)的FRAM產(chǎn)品已交付給工業(yè)市場(chǎng)超過(guò)21年。因此，F(xiàn)RAM是具有成熟制造經(jīng)驗(yàn)的高性能和高度可靠的存儲(chǔ)器。下面代理商宇芯電子介紹富士通FRAM存儲(chǔ)芯片512K×8位SPI MB85RS4MTY。
 
MB85RS4MTY描述
MB85RS4MTY是一款524,288字×8位配置的FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）芯片，采用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元。本產(chǎn)品針對(duì)高溫環(huán)境應(yīng)用。MB85RS4MTY采用串行外設(shè)接口（SPI）。
 
MB85RS4MTY無(wú)需使用后備電池即可保存數(shù)據(jù)，這是SRAM所需要的。MB85RS4MTY中使用的存儲(chǔ)單元可用于10¹³次讀/寫(xiě)操作，這是對(duì)讀寫(xiě)次數(shù)的重大改進(jìn)Flash存儲(chǔ)器和E²PROM支持的操作。
 
由于MB85RS4MTY在寫(xiě)入過(guò)程中不需要任何等待時(shí)間，因此MB85RS4MTY的寫(xiě)入周期比Flash或E²PROM短很多。
 
MB85RS4MTY特點(diǎn)
•位配置：524,288字×8位
•串行扇區(qū)區(qū)域：256字×8位
在該區(qū)域中，保證了基于JEDECMSL-3標(biāo)準(zhǔn)條件（通過(guò)）3次回流后的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
•唯一身份
•序列號(hào)：64位
在該區(qū)域中，保證了基于JEDECMSL-3標(biāo)準(zhǔn)條件（通過(guò)）3次回流后的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
•串行外設(shè)接口：SPI（串行外設(shè)接口）對(duì)應(yīng)于SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)
•工作頻率：50MHz（最大）
•高耐久性：10¹³次/字節(jié)
•數(shù)據(jù)保留：10年(+85℃)
2.75年(+105℃)
0.85年(+125℃)或更長(zhǎng)
在評(píng)估超過(guò)2.5年（+125℃）
•工作電源電壓：1.8V至3.6V
•低功耗：工作電源電流4mA(Max@50MHz)
待機(jī)電流350μA（最大）
深度掉電電流30μA（最大）
休眠電流14μA（最大）
•工作環(huán)境溫度范圍：-40℃至+125℃
•封裝：8-pin塑料SOP208mil、8針?biāo)芰螪FN 5mm×6mm符合RoHS
 
多年來(lái)，F(xiàn)UJITSU一直以來(lái)傾注于提供高質(zhì)量和高性能的存儲(chǔ)器，這對(duì)于那些增強(qiáng)型的數(shù)字應(yīng)用而言必不可少。近年來(lái)，除了提供更高密度，更高性能和更低功耗的存儲(chǔ)產(chǎn)品外，為客戶的應(yīng)用提供了最佳的解決方案。
 

關(guān)鍵詞：富士通FRAM  MB85RS4MTY 宇芯有限公司自成立以來(lái)，我們專注于代理國(guó)內(nèi)外各大知名品牌的半導(dǎo)體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來(lái)?xiàng)頛yontek、ISSI、CYPRESS，VTI等多個(gè)品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲(chǔ)器芯片，致力于為客戶提供具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲(chǔ)方案解決商。