首先我們解釋一下FRAM是什么。FRAM是電子元器件中的一種半導(dǎo)體產(chǎn)品。半導(dǎo)體產(chǎn)品有微處理器、邏輯器件、模擬器件、存儲(chǔ)器件等各種器件。
 
FRAM是DRAM和閃存等存儲(chǔ)設(shè)備之一。FRAM代表鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它也被稱(chēng)為鐵電存儲(chǔ)器，因?yàn)樗褂描F電元件來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
 
?FRAM，一種非易失性存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)設(shè)備，存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，主要分為2種類(lèi)型。一種是“易失性存儲(chǔ)器”，其特征是存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)在斷電時(shí)消失。DRAM以易失性存儲(chǔ)器而聞名。
 
另一種是“非易失性存儲(chǔ)器”，其特點(diǎn)是存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)在斷電時(shí)不會(huì)消失。這意味著數(shù)據(jù)一次寫(xiě)入內(nèi)存，數(shù)據(jù)不會(huì)在不擦除或重寫(xiě)的情況下發(fā)生變化。FRAM是與閃存相同的非易失性存儲(chǔ)器。
 
?FRAM結(jié)構(gòu)
FRAM是使用鐵電元件的存儲(chǔ)器。它的單元結(jié)構(gòu)和存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的方法不同于其他常規(guī)的非易失性存儲(chǔ)設(shè)備，如EEPROM和閃存。當(dāng)然存儲(chǔ)數(shù)據(jù)“1”和“0”的判斷方法也不同。

 
傳統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器的EEPROM通過(guò)存儲(chǔ)單元的充電或放電狀態(tài)來(lái)判斷“1”或“0”數(shù)據(jù)。（圖1左圖）
 
而FRAM則是通過(guò)分子中原子運(yùn)動(dòng)引起的電極化狀態(tài)來(lái)判斷。（圖1中的右圖）
 
這種鐵電特性的特性賦予FRAM四大優(yōu)勢(shì)：“非易失性”、“高讀寫(xiě)耐久性”、“快速寫(xiě)入速度”和“低功耗”。
 
FRAM陣容
 
?FRAM陣容
富士通FRAM系列具有三個(gè)接口。I2C和SPI與EEPROM兼容，Parallel與SRAM兼容。內(nèi)存密度范圍從4K位到8M位。
 
大多數(shù)產(chǎn)品的工作溫度為-40℃至+85℃，最近增加了工作溫度高達(dá)+125℃的汽車(chē)和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品。關(guān)于每個(gè)FRAM器件的規(guī)格，請(qǐng)分別確認(rèn)其數(shù)據(jù)表。
 
4Mbit FRAM工作溫度可達(dá)＋125℃
自2020年7月起，開(kāi)發(fā)了4Mbit FRAM MB85RS4MTY，它是工作溫度高達(dá)125℃的FRAM產(chǎn)品中密度最大的。
 
這款FRAM產(chǎn)品是一種非易失性存儲(chǔ)器，即使在125℃的高溫環(huán)境下也能保證10萬(wàn)億次讀/寫(xiě)循環(huán)次數(shù)和4mA的低有效電流。它最適合工業(yè)機(jī)器人和汽車(chē)應(yīng)用，例如高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)。富士通代理宇芯電子支持提供產(chǎn)品技術(shù)支持。

 
關(guān)鍵詞：FRAM 宇芯有限公司自成立以來(lái)，我們專(zhuān)注于代理國(guó)內(nèi)外各大知名品牌的半導(dǎo)體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來(lái)?xiàng)頛yontek、ISSI、CYPRESS，VTI等多個(gè)品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線(xiàn)為sram、mram、psram等其他存儲(chǔ)器芯片，致力于為客戶(hù)提供具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品，是一家專(zhuān)業(yè)提供存儲(chǔ)方案解決商。