Cypress FRAM Excelon-Auto CY15V102QN是采用了高級(jí)鐵電工藝的汽車級(jí)2Mbit非易失性存儲(chǔ)器。鐵電性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（即FRAM）是一種非易失性存儲(chǔ)器，它跟RAM一樣，能夠執(zhí)行讀和寫操作。它提供了121年的可靠數(shù)據(jù)保留時(shí)間，并解決了串行閃存、EEPROM和其他非易失性存儲(chǔ)器所造成的復(fù)雜性、開銷和系統(tǒng)級(jí)可靠性等問題。
 
與串行閃存和EEPROM不同的是，CY15V102QN以總線速度執(zhí)行寫操作。并不會(huì)產(chǎn)生寫延遲。在每個(gè)字節(jié)成功傳輸?shù)狡骷?，?shù)據(jù)立即被寫入到存儲(chǔ)器陣列內(nèi)。這時(shí)可以開始執(zhí)行下一個(gè)總線周期而不需要輪詢數(shù)據(jù)。此外，與其他非易失性存儲(chǔ)器相比，該產(chǎn)品提供了更多的擦寫次數(shù)。CY15V102QN能夠提供10¹³次的讀/寫周期，或支持比EEPROM多1千萬次的寫周期。由于具有這些特性，因此CY15V102QN非常適用于需要頻繁或快速寫操作的非易失性存儲(chǔ)器應(yīng)用。示例的范圍包括從數(shù)據(jù)收集（其中寫周期數(shù)量是非常重要的）到滿足工業(yè)級(jí)控制（其中串行閃存或EEPROM的較長(zhǎng)寫時(shí)間會(huì)使數(shù)據(jù)丟失）。
 
作為硬件替代時(shí)，CY15V102QN為串行EEPROM或閃存的用戶提供極大好處。CY15V102QN使用高速的SPI總線，從而可以改進(jìn)FRAM技術(shù)的高速寫入能力。該器件包含一個(gè)只讀的器件ID和唯一ID特性，通過它們，主機(jī)可以確定各器件的制造商、產(chǎn)品容量、產(chǎn)品版本和唯一ID。該器件還提供可寫的8字節(jié)序列號(hào)的寄存器，這些寄存器可用于識(shí)別特定電路板或系統(tǒng)。
 
性能
■2Mbit鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（FRAM）被邏輯組織為256K×8
?提供了十萬億次（10¹³）的讀/寫周期，幾乎為無限次數(shù)的耐久性。
?數(shù)據(jù)保留時(shí)間為121年
?NoDelay™寫操作
?高級(jí)高可靠性的鐵電工藝
■快速串行外設(shè)接口（SPI）
?高達(dá)50MHz的頻率
?支持SPI模式0（0，0）和模式3（1，1）
■精密的寫入保護(hù)方案
?使用寫保護(hù)（WP）引腳提供硬件保護(hù)
?使用寫禁用（WRDI）指令提供軟件保護(hù)
?可對(duì)1/4、1/2或整個(gè)陣列進(jìn)行軟件模塊保護(hù)
■器件ID和序列號(hào)
?器件ID包含制造商ID和產(chǎn)品ID
?唯一ID
?序列號(hào)
■專用256字節(jié)特殊扇區(qū)FRAM
?專用特殊扇區(qū)寫和讀操作
?存儲(chǔ)的內(nèi)容可以在最多3個(gè)標(biāo)準(zhǔn)回流焊周期內(nèi)保持不變
■低功耗
?頻率為40MHz時(shí)，有效電流為3.7mA（典型值）
?待機(jī)電流為2.7µA（典型值）
?深度掉電模式電流為1.1µA（典型值）
?休眠模式電流為0.1µA（典型值）
■低電壓操作：
?CY15V102QN：VDD=1.71V到1.89V
■汽車級(jí)工作溫度：–40℃到+125℃
■符合AEC-Q100一級(jí)標(biāo)準(zhǔn)
■8pin小型塑封集成電路（SOIC）封裝
■符合有害物質(zhì)限制標(biāo)準(zhǔn)（RoHS）
 
CY15V102QN是一個(gè)串行FRAM存儲(chǔ)器。該存儲(chǔ)器陣列被邏輯組織為262,144×8位，通過使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的串行外設(shè)接口（SPI）總線可以訪問該存儲(chǔ)器陣列。FRAM同串行閃存和串行EEPROM的功能操作是相同的。CY15V102QN與相同引腳分布的串行閃存或EEPROM的主要區(qū)別在于F-RAM具有更好的寫性能、高耐久性和低功耗。

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