預測2031年的新興存儲器的市場規(guī)模將達到440億美元，可以是獨立的存儲芯片，也可以是微控制器、ASIC甚至計算處理器中的嵌入式存儲器，它將取代包括NOR閃存、SRAM和DRAM在內(nèi)的現(xiàn)有存儲器。
 
新興存儲器將創(chuàng)造自己的新市場，并在其中占據(jù)巨大的競爭優(yōu)勢。這個市場不僅包括存儲器制造商和晶圓代工廠，還包括SoC設計人員和用戶，他們已經(jīng)在設計中采用這些新型非易失性存儲器，以實現(xiàn)更低的功耗和更高的系統(tǒng)響應能力。
 
新興存儲器的收入增長的部分原因是需要新的工具來支持不同的材料和工藝，而這又將拉動資產(chǎn)設備市場的增長。例如MRAM制造設備2031年的總收入將是2020年總收入(1000萬美元)的100多倍，達到11億美元；獨立MRAM和STT-RAM收入將增長到約17億美元，為2020年獨立MRAM收入的42倍。而嵌入式MRAM將加入到與嵌入式ReRAM的競爭中，以取代SoC中的大部分嵌入式NOR和SRAM。
 
由于NOR閃存和SRAM的性能已觸頂，因此MRAM和ReRAM市場增長的大好機會將來自SoC。MRAM SoC已經(jīng)開始出貨，而ReRAM SoC也即將問世。
 
STT MRAM之所以具有吸引力并得到采用是由于MRAM和STT-RAM工藝與傳統(tǒng)的CMOS工藝兼容，因為這些存儲器可以直接采用CMOS邏輯晶圓制造。因此MRAM最有可能替代NOR閃存和SRAM，因為閃存與傳統(tǒng)CMOS不兼容；而且與SRAM相比，非易失性和更簡單的MRAM和STT MRAM更加節(jié)能。盡管MRAM具有市場增長潛力，但并非所有廠商都能幸存下來享受戰(zhàn)果。
 
推動MRAM向前發(fā)展的除了代工廠還有存儲器制造商，這將使MRAM逐漸取代SRAM和NOR閃存，因為它們能夠讓芯片隨邏輯而縮小。終有一天MRAM的價格會下降，很多應用都不會再因其成本高昂而卻步。

關(guān)鍵詞： NOR閃存,SRAM,MRAM

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