MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫入。
 
STT-MRAM是一種高級(jí)類型的MRAM存儲(chǔ)器。與常規(guī)設(shè)備相比，STT-MRAM可實(shí)現(xiàn)更高的密度、低功耗和更低的成本。STT-MRAM相對(duì)于Toggle MRAM的主要優(yōu)勢(shì)是能夠擴(kuò)展STT-MRAM芯片以更低的成本實(shí)現(xiàn)更高的密度。STT-MRAM具有成為領(lǐng)先存儲(chǔ)技術(shù)的潛力，因?yàn)樗且环N高性能存儲(chǔ)器（可以挑戰(zhàn)DRAM和SRAM），可以遠(yuǎn)低于10nm并挑戰(zhàn)閃存的低成本。
 
STT-MRAM在速度、面積、寫入次數(shù)和功耗方面能夠達(dá)到較好的折中，因此被業(yè)界認(rèn)為是構(gòu)建下一代非易失性緩存和主存的理想器件。STT-MRAM的應(yīng)用前景并不局限于傳統(tǒng)的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)體系，還能夠擴(kuò)展到其他諸多領(lǐng)域，甚至有望成為通用存儲(chǔ)器。
 
例如，寶馬公司在發(fā)動(dòng)機(jī)控制模塊采用MRAM以保證數(shù)據(jù)在斷電情況下不丟失。鑒于磁性存儲(chǔ)具有抗輻射的優(yōu)勢(shì)，空客公司在A350的飛行控制系統(tǒng)中采用MRA以防止射線造成數(shù)據(jù)破壞。此外，在物聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新興應(yīng)用領(lǐng)域，泛在的傳感器終端需要搜集海量數(shù)據(jù)，為節(jié)省存儲(chǔ)功耗，使用非易失性存儲(chǔ)器勢(shì)在必行，STT-MRAM以其相對(duì)優(yōu)良的性能成為熱門的候選器件。


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