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EMI504NL16VM-55IT可替代IS61WV25616EDBLL-10TLI高速低功耗異步SRAM

來(lái)源: 日期:2022-01-17 14:21:26

ISSI型號(hào)IS61WV25616EDBLL-10TLI是一種高速低功耗、容量4Mbit的SRAM存儲(chǔ)器,位寬256*12,采用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造。這種高度可靠的工藝與創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)相結(jié)合,可生產(chǎn)出高性能和低功耗的器件。
 
我司宇芯有限公司介紹一款可替代IS61WV25616EDBLL-10TLI高速低功耗異步SRAM的國(guó)產(chǎn)SRAM芯片EMI504NL16VM-55IT。
 
國(guó)產(chǎn)SRAM芯片廠家偉凌創(chuàng)芯EMI504NL16VM-55IT由EMI先進(jìn)的全CMOS工藝技術(shù)制造。支持工業(yè)溫度范圍和芯片級(jí)封裝,以使用戶靈活地進(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計(jì)。并支持低數(shù)據(jù)保持電壓,以低數(shù)據(jù)保持電流實(shí)現(xiàn)電池備份操作。
 
EMI504NL16VM-55IT的制程技術(shù)采用90nm Full CMOS,位寬為256Kx16位,其電源電壓范圍2.7V~3.6V,低數(shù)據(jù)保持電壓:1.5V(最小值),具備三態(tài)輸出和TTL兼容,封裝采用標(biāo)準(zhǔn)的44TSOP2,具備工業(yè)操作溫度。EMI代理英尚微電子支持提供樣品測(cè)試及產(chǎn)品技術(shù)支持指導(dǎo)。
 
EMI是一家以市場(chǎng)為導(dǎo)向的無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司。專注SRAM,PSRAM等存儲(chǔ)、顯示驅(qū)動(dòng),接口轉(zhuǎn)換芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)及銷售。公司擁有國(guó)際知名設(shè)計(jì)專家及工作經(jīng)驗(yàn)豐富工程師研發(fā)團(tuán)隊(duì),與國(guó)內(nèi)知名前后道生產(chǎn)合作伙伴緊密合作。為行業(yè)客戶提供高品質(zhì)、低成本,供貨持續(xù)穩(wěn)定的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的集成電路產(chǎn)品,產(chǎn)品領(lǐng)域涵蓋智能感知、網(wǎng)絡(luò)可視化、信息化、信息安全、大數(shù)據(jù)分析、智能語(yǔ)音、應(yīng)用展現(xiàn)、特種通信和智能建筑等。


關(guān)鍵詞:SRAM,IS61WV25616EDBLL-10TLI

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