在新的非易失性存儲(chǔ)器(NVM)技術(shù)時(shí)代，另一種變體即將加入競(jìng)爭——稱為自旋軌道扭矩或SOT-MRAM的新版本MRAM。有朝一日可能取代片上系統(tǒng)(SoC)和其他集成電路中的SRAM陣列。
 
僅僅基于成本，它或任何新的NVM都很難與NAND閃存或DRAM競(jìng)爭。
 
盡管DRAM和NAND已經(jīng)高度優(yōu)化，可能無法以相同的新存儲(chǔ)器速度取得新的進(jìn)展，但它們受益于一些全球最大的半導(dǎo)體公司在一個(gè)銷售數(shù)百億芯片的市場(chǎng)上進(jìn)行了數(shù)十年的技術(shù)投資。每年每項(xiàng)技術(shù)的產(chǎn)品價(jià)值，。已經(jīng)花費(fèi)了大量資金來優(yōu)化DRAM和NAND，達(dá)到今天的水平。即使一項(xiàng)新技術(shù)每年進(jìn)步20%，要趕上DRAM和NAND仍有很長的路要走。
 
在一兩件事上做得更好可能會(huì)有所幫助，但總的來說，閃存和DRAM的成熟度以及它們不斷發(fā)展的事實(shí)可能會(huì)使專用MRAM芯片超出經(jīng)濟(jì)范圍。
 
在某些指標(biāo)上，新奇的記憶要擊敗既定的記憶還不夠好。它幾乎必須在帶寬、延遲、容量、成本、功率和耐用性等所有關(guān)鍵指標(biāo)上擊敗DRAM或NAND。就像今天的技術(shù)一樣，專用芯片似乎遙不可及，因?yàn)樵诔杀痉矫嫠肋h(yuǎn)無法與DRAM競(jìng)爭。

關(guān)鍵詞：?DRAM 

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