美國(guó)ISSI公司主要是為以下主要市場(chǎng)設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)和銷(xiāo)售高性能集成電路的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者：汽車(chē)，工業(yè)和醫(yī)療，通信/企業(yè)，以及數(shù)字消費(fèi)。主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM、NOR/NAND Flash和eMMC產(chǎn)品。這些產(chǎn)品需要增加內(nèi)存內(nèi)容以幫助處理大量數(shù)據(jù)
 
IS61WV12816EFBLL是高速、低功耗、2M位靜態(tài)RAM，組織為128K字x16位。它采用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造，并實(shí)現(xiàn)了ECC功能以提高可靠性?；诩m錯(cuò)碼 (ECC) 的異步SRAM 滿(mǎn)足汽車(chē)、工業(yè)、軍用航空航天和其他應(yīng)用中的高質(zhì)量要求。
 
ISSI這種高度可靠的工藝與包括ECC（SEC-DED：?jiǎn)渭m錯(cuò)-雙錯(cuò)誤檢測(cè)）在內(nèi)的創(chuàng)新電路設(shè)計(jì)技術(shù)相結(jié)合，可產(chǎn)生高性能和高可靠性的器件。當(dāng)CS#為高電平（取消選擇）時(shí)，器件進(jìn)入待機(jī)模式，此時(shí)可通過(guò)CMOS輸入電平降低功耗。使用芯片使能和輸出使能輸入可輕松擴(kuò)展內(nèi)存。低電平有效寫(xiě)使能(WE#)控制存儲(chǔ)器的寫(xiě)入和讀取。數(shù)據(jù)字節(jié)允許訪(fǎng)問(wèn)高字節(jié)(UB#)和低字節(jié)(LB#)。IS61WV12816EFBLL采用JEDEC標(biāo)準(zhǔn)48BGA(6mmx8mm)封裝。