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STT-MRAM與nvSRAM的比較

來源： 日期：2023-04-06 11:38:18

  MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有SRAM的高速讀取寫入能力，以及DRAM的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。MRAM具備高速讀寫、低功耗、高密度、耐擦寫、寬溫區(qū)和抗輻照等優(yōu)勢(shì)。
  
  非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
  •像SRAM一樣工作: 高速、高續(xù)航、單字節(jié)訪問
  •像ROM/Flash一樣存儲(chǔ):不易揮發(fā)，保存時(shí)間長
 
  MRAM優(yōu)勢(shì)
  •無需超級(jí)電容器
  -節(jié)省板面積，減少組件
  •快速通電
  -快速系統(tǒng)恢復(fù)
 
  nvSRAM Winner STT-MRAM
Write Speed* 25ns~45ns ← 35ns~300ns
Super-Capacitor Requirement YES → NO
Recover time 600μs → Instant
 
 
  醫(yī)療系統(tǒng)示例



本文關(guān)鍵詞：STT-MRAM,MRAM,nvSRAM

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