NRAM它是一種基于沉積在芯片狀基板上的碳納米管位置的非易失性隨機(jī)存取存儲器，理論上，納米管的小尺寸可以實(shí)現(xiàn)非常高密度的存儲器。

 

    NRAM工作方式和其他存儲有所不同，其由碳納米管層所制作而成，碳納米管是由催化劑微粒（最常見的是鐵元）生長而來的。每個NRAM“單元”或晶體管由一個碳納米管網(wǎng)絡(luò)組成，其工作原理與其他非揮發(fā)性RAM技術(shù)相同。相互不接觸的碳納米管呈現(xiàn)高電阻狀態(tài)，代表“關(guān)閉”或“0”狀態(tài)；當(dāng)碳納米管相互接觸時(shí)，它們呈現(xiàn)低電阻狀態(tài)，代表“開啟”或“1”狀態(tài)。

 

    與NAND和DRAM相比，NRAM能耗更低，待機(jī)模式的功耗接近于零，寫入速度更快，且具有無限的擴(kuò)張性，F(xiàn)RAM突破不了100納米，EEPROM一般為60多納米， NOR Flash為十幾納米，而NRAM可以推進(jìn)至5納米，未來的擴(kuò)展空間比較大。

 

    NRAM 相對于傳統(tǒng)閃存的另一大優(yōu)勢是耐久度，可實(shí)現(xiàn)幾乎無限的讀寫循環(huán)。它們還具備耐熱、耐寒、抗電磁干擾和輻射的能力， Nantero表示，其在85攝氏度下可以保存數(shù)千年，并在300攝氏度下經(jīng)過了10年的測試，也沒有丟失哪怕一比特的數(shù)據(jù)。

 

    NRAM不但可以做數(shù)據(jù)儲存也可以做程序儲存，這一特性對消費(fèi)類電子市場具備巨大吸引力。目前，針對獨(dú)立NRAM和嵌入式NRAM的產(chǎn)品開發(fā)項(xiàng)目正在進(jìn)行中。正在尋求獨(dú)立NRAM的三個目的：用于DRAM替換，用于NAND閃存替換以及用于DRAM和NAND閃存都無法尋址的應(yīng)用。在嵌入式存儲器領(lǐng)域，正在進(jìn)行使用嵌入式NRAM代替嵌入式非易失性存儲器的工作，包括嵌入式閃存或嵌入式RAM（SRAM或DRAM）。


本文關(guān)鍵詞：NRAM,SRAM,MRAM

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