FeRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）是一種先進(jìn)的非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，它利用鐵電薄膜作為電容器材料來保存數(shù)據(jù)。FeRAM結(jié)合了ROM（只讀存儲(chǔ)器）和RAM（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的優(yōu)點(diǎn)，提供了更快的寫入速度、卓越的讀/寫周期耐久性以及低功耗特性。
 
    1.極高的讀/寫周期耐久性
    FeRAM承諾能夠承受高達(dá)100萬億次的重寫操作。即便以每秒100次的頻率進(jìn)行寫入，其理論耐久性也超過了3000年。這幾乎等同于無限制的寫入能力，除非是在那些需要極高頻率重寫的特殊應(yīng)用場(chǎng)景中。FeRAM的高重寫耐久性為高頻、高精度數(shù)據(jù)采集提供了可能，無需進(jìn)行損耗均衡。
 
    2.極速寫入速度
    FeRAM的每次寫入操作僅需約120納秒，這一速度是EEPROM的數(shù)萬倍。即便在斷電或瞬間電源中斷的情況下，F(xiàn)eRAM依然能夠可靠地記錄數(shù)據(jù)。此外，它通過簡(jiǎn)化外圍組件來降低整體成本（BOM成本降低）。
 
    3.低功耗特性
    與其他存儲(chǔ)技術(shù)相比，F(xiàn)eRAM在功耗方面表現(xiàn)出色，有兩個(gè)原因：
    -寫操作時(shí)間短，且功耗低。
    -作為非易失性存儲(chǔ)器，它消除了保持?jǐn)?shù)據(jù)所需的持續(xù)電流。
 
    4.簡(jiǎn)化的寫入過程
    FeRAM之所以能夠?qū)崿F(xiàn)簡(jiǎn)單的寫入過程，主要有兩個(gè)原因：
    -內(nèi)存可以直接覆蓋，無需進(jìn)行預(yù)擦除操作。
    -FeRAM沒有頁(yè)或扇區(qū)的概念，允許整個(gè)區(qū)域連續(xù)寫入。
 
    5.易于替代現(xiàn)有內(nèi)存
    FeRAM與EEPROM和SRAM高度兼容，便于在現(xiàn)有系統(tǒng)中輕松替換現(xiàn)有的存儲(chǔ)器。

本文關(guān)鍵詞：FeRAM,FRAM

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