三星斥巨資 欲抑制中國存儲器發(fā)展
來源：宇芯有限公司 日期：2017-11-28 14:55:28
IC Insights估計，今年三星260億美元的半導體支出將分成幾部分：
3D NAND閃存：140億美元（包括在平澤工廠的產(chǎn)能大幅增長）
DRAM：70億美元（用于流程遷移和彌補由于遷移造成的容量損失的額外容量） 代工/其他：50億美元（用于提升10納米制程能力）
IC Insights認為，今年三星的巨額支出將會對存儲行業(yè)未來格局產(chǎn)生巨大影響。 3D NAND閃存市場可能因此出現(xiàn)產(chǎn)能過剩時期。 這種產(chǎn)能過剩的情況不僅是由于三星在3D NAND閃存方面的巨額支出，而且也是由于競爭對手（例如美光，SK海力士，東芝，英特爾等公司）的大力投入所引起。 換言之，三星的競爭對手在這種情況下只能提高產(chǎn)能，不然只能坐吃山空。
IC Insights認為，三星半導體的資本開支預計將會抑制中國儲存器廠商的發(fā)展，因為一定程度上，他們在打擊自主發(fā)展的中國廠商與存儲器巨頭同場競技的資格。那么，中國儲存器廠商應該思考未來何去何從，這才是當務之急。
