非揮發(fā)性電阻式內(nèi)存(ReRAM)開發(fā)商Crossbar Inc.利用非導電的銀離子-非晶硅(a-Si)為基板材料，并透過電場轉(zhuǎn)換機制，開發(fā)出號稱比NAND閃存更快千倍速度的ReRAM組件，并如期實現(xiàn)量產(chǎn)。

根據(jù)Crossbar副總裁所說，專為嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存(eNVM)應用而打造的Crossbar ReRAM提供了更高性能，密度比DRAM更高40倍，耐久度與寫入速度更高1000倍，單芯片尺寸約200mm2左右，即可實現(xiàn)高達terabyte(TB)級的儲存，并具有結構簡單與易于制造等優(yōu)點。


                            
                                            Crossbar ReRAM技術易于配置，以實現(xiàn)低成本制造。

該ReRAM組件目前正由其合作伙伴中芯國際(SMIC)進行生產(chǎn)，SMIC最近已宣布為客戶出樣40nm CMOS制程的ReRAM芯片。除了量產(chǎn)40nm ReRAM，預計不久也將實現(xiàn)28nm CMOS的生產(chǎn)。Dubois預期這一時間大約就在2017年的上半年，但他并未透露是否仍沿用SMIC還是其他代工廠為其生產(chǎn)28nm CMOS。

Crossbar是目前競相投入開發(fā)非揮發(fā)性內(nèi)存(NVM)技術的多家公司之一；NVM技術可望用于取代閃存，并可微縮至28nm以及更先進制程。尤其是在相變內(nèi)存無法成功用于商用市場后，ReRAM已被業(yè)界視為一種更可能取得成功的備選技術。不過，ReRAM技術也有多種版本，在許多情況下，可能無法完全深入了解在其切換和失效模式背后的原理。有些人甚至指出磁性內(nèi)存(MRAM)可能會是在28nm節(jié)點勝出的非揮發(fā)性內(nèi)存。

 

ReRAM已經(jīng)明顯表現(xiàn)出優(yōu)于閃存的優(yōu)點了，包括20奈秒(ns)的讀取延遲以及12ns的寫入延遲，相形之下，閃存還存在幾毫秒的延遲。Dubois解釋，“我們的技術并不存在區(qū)段擦除(block erase)，因而能夠重新寫入單個字節(jié)。”至于其耐久性，Dubois強調(diào)，Crossbar可確保達到100k次的讀寫周期。他說：“對于這些應用，100k是一般鎖定的目標，但我們持續(xù)使其推向更高的穩(wěn)定度。”

 

                               
  Crossbar ReRAM內(nèi)建選擇特性，能使內(nèi)存單元在1T1R數(shù)組中實現(xiàn)超低延遲的讀取，或在1TnR數(shù)組中實現(xiàn)最佳面積效率(4F2單元)



關鍵詞：NAND閃存   ReRAM

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