賽普拉斯的F-RAM是業(yè)內(nèi)能效最高的NVRAM技術(shù)，具有可以說(shuō)是無(wú)限次的100萬(wàn)億次讀寫耐久性。F-RAM 存儲(chǔ)單元中的鐵電材料可抵御由輻射或磁場(chǎng)導(dǎo)致的數(shù)據(jù)損壞，所以能夠?yàn)獒t(yī)療、航天和國(guó)防應(yīng)用提供軟錯(cuò)誤免疫能力。賽普拉斯的nvSRAM是業(yè)內(nèi)速度最快的NVRAM技術(shù)，存取時(shí)間低至20 ns。它具有非易失性數(shù)據(jù)保留功能，而且不需要額外的電池，同時(shí)提供無(wú)限的耐久性。

賽普拉斯非易失性產(chǎn)品事業(yè)部高級(jí)主管Sonal Chandrasekharan表示：“為NVRAM產(chǎn)品組合提供晶圓銷售進(jìn)一步滿足了客戶的廣泛需求，客戶現(xiàn)在可以在滿足具體應(yīng)用的封裝規(guī)格的同時(shí)，充分利用nvSRAM的高性能或F-RAM的高能效優(yōu)勢(shì)。”

 

關(guān)于賽普拉斯的nvSRAM

賽普拉斯的nvSRAM系采用存儲(chǔ)在外部電容器中的電荷，而非電池，從而使這一器件適合于標(biāo)準(zhǔn)的PCB流水線生產(chǎn)。賽普拉斯的nvSRAM符合ROHS標(biāo)準(zhǔn)，可以直接替代SRAM和依靠電池供電的SRAM(BBSRAM)產(chǎn)品，提供快速非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)能力。當(dāng)發(fā)生斷電的時(shí)候，數(shù)據(jù)可自動(dòng)從SRAM傳輸?shù)椒且资詥卧小＜与娭?，?shù)據(jù)可從非易失性存儲(chǔ)器中恢復(fù)至SRAM。在工業(yè)、網(wǎng)絡(luò)、計(jì)算和RAID應(yīng)用中，nvSRAM提供了高速數(shù)據(jù)傳輸性能，并在斷電的時(shí)候，無(wú)需電池即可保證數(shù)據(jù)的完整性。

關(guān)鍵詞：CYPRESS     nvSRAM

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