中國(guó)設(shè)計(jì)出新型態(tài)光敏感性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器
來(lái)源： 日期：2018-02-02 14:25:20
近日有研究團(tuán)隊(duì)基于原子級(jí)薄度的半導(dǎo)體研究設(shè)計(jì)出一種存儲(chǔ)器，除了具有良好的性能，也能夠在完全不需要電力輔助的情況下，用光線就能消除儲(chǔ)存資料，團(tuán)隊(duì)認(rèn)為這種新的存儲(chǔ)器在系統(tǒng)整合型面板（System on Panel）上，具有非常大的應(yīng)用潛力。
據(jù)報(bào)導(dǎo)，復(fù)旦大學(xué)和中國(guó)科學(xué)院微電子研究所的Long-Fei He及相關(guān)研究人員最近發(fā)表了一篇關(guān)于新型態(tài)存儲(chǔ)器的論文。
因?yàn)榇蠖鄶?shù)現(xiàn)有的存儲(chǔ)器技術(shù)都不夠輕巧，不能整合應(yīng)用在顯示面板上，研究人員一直都在研究全新的設(shè)計(jì)和材料，嘗試制造出同樣具有良好性能、卻能超薄的儲(chǔ)存設(shè)備。
在這項(xiàng)新的研究中，研究人員通過(guò)二維過(guò)度金屬材料“二硫化鉬”（MoS2）的應(yīng)用，創(chuàng)造出一種原子級(jí)薄度的半導(dǎo)體，它的電導(dǎo)率（conductivity）可以被精細(xì)的調(diào)整，進(jìn)而形成具有高開關(guān)電流比的存儲(chǔ)器基礎(chǔ)元件。
此外，團(tuán)隊(duì)也在測(cè)試中證明，這類型存儲(chǔ)器具有運(yùn)行速度快、大容量的存儲(chǔ)器空間和優(yōu)異的保存性，研究人員估計(jì)，即使處在85°C（185°F）的高溫下10年，儲(chǔ)存空間仍可以保存原有的60%左右，對(duì)于實(shí)際應(yīng)用來(lái)說(shuō)仍然足夠。
曾經(jīng)已有研究證實(shí)二硫化鉬具有光敏性（photoresponsive），這意味著一些性質(zhì)可以運(yùn)用光來(lái)控制，為了了解實(shí)際應(yīng)用情況，團(tuán)隊(duì)也實(shí)際進(jìn)行了相關(guān)實(shí)驗(yàn)，結(jié)果他們發(fā)現(xiàn)，當(dāng)光線照射到已編程的存儲(chǔ)設(shè)備上時(shí)，儲(chǔ)存資料被完全消除，但同時(shí)運(yùn)用電壓抹除資訊的方式也仍然可以使用。
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