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MRAM專用技術(shù)詳解
來源：宇芯有限公司 日期：2018-05-09 15:30:11
MRAM新創(chuàng)公司STT開發(fā)出一種全新存儲器專有技術(shù)，據(jù)說能夠在增加數(shù)據(jù)保持的同時降低功耗， MRAM的自旋力矩效率提高加40%-70%。這種新式的“歲差自旋電流”(PSC)儲存結(jié)構(gòu)將在MRAM市場扮演什么角色?它能促進MRAM市場發(fā)展嗎?
磁阻式隨機存取存儲器(Magnetic RAM;MRAM)新創(chuàng)公司Spin Transfer Technologies (STT)最近開發(fā)出MRAM專用技術(shù)，據(jù)說能夠以同步提高數(shù)據(jù)保持(retention)與降低電流的方式，加強任何MRAM陣列的性能。
STT技術(shù)長Mustafa Pinarbasi介紹，該公司開發(fā)出的“歲差自旋電流”(Precessional Spin Current;PSC)結(jié)構(gòu)，有望提高MRAM的密度和零漏電流的能力。這種新的結(jié)構(gòu)能應(yīng)用于行動、數(shù)據(jù)中心CPU、汽車、儲存、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)與人工智慧等(AI)領(lǐng)域。
這種PSC結(jié)構(gòu)將能夠讓MRAM元件的自旋力矩(spin-torque)效率提高40%至70%。這說明它的數(shù)據(jù)保持能力不僅更高，而且功耗還更低。Pinarbasi表示，這些好處可轉(zhuǎn)化為延長超過10,000倍的保持時間，所以，1小時可延長至1年以上，而寫入電流則減少了。此外，隨著垂直磁穿隧接面(pMTJ)越來越小，PSC結(jié)構(gòu)的效率將會更高。Pinarbasi說：“我們開發(fā)的是一種模組化的結(jié)構(gòu)，它確實是PMTJ元件的延伸。”。
STT業(yè)務(wù)開發(fā)資深副總裁Jeff Lewis補充道，“我們最初就將它打造成模組化的設(shè)計。這說明我們能將此PSC結(jié)構(gòu)添加到其他任何的pMTJ中。您可以將它視為現(xiàn)有MRAM設(shè)計的『渦輪增壓器』。”
Lewis說，PSC結(jié)構(gòu)可以被整合于所有MRAM制造商的現(xiàn)有流程中。除了生產(chǎn)STT-MRAM時原本使用的材料或工具，不用再另行添加，所以，該結(jié)構(gòu)幾乎不會對于代工廠帶來任何復(fù)雜度或成本。
Pinarbasi說，PSC結(jié)構(gòu)在工作中有兩種特殊效應(yīng)。一種是靜態(tài)的，另一種則是動態(tài)的。因為靜電效應(yīng)能夠大量提高元件的數(shù)據(jù)保持能力。
而動態(tài)效應(yīng)則能從0切換到1，反之亦然，而且這很重要，因為靜態(tài)保持能力和電流之間始終存在相關(guān)性。Pinarbasi說：“如今，我們已經(jīng)將這兩種效應(yīng)分開來了，可以在獨立提高數(shù)據(jù)保持的同時也降低電流。”
雖然PSC結(jié)構(gòu)能讓STT-MRAM解決SRAM的尺寸和成本缺點，以及DRAM的揮發(fā)性和功耗復(fù)雜度，但Pinarbasi說，STT并不僅僅將基于PSC結(jié)構(gòu)的MRAM視為取代現(xiàn)有存儲器的技術(shù)，還打算將它用于物聯(lián)網(wǎng)、汽車和人工智慧帶來的綠地機會。
市場研究機構(gòu)Coughlin Associates資深分析師兼創(chuàng)辦人Thomas Coughlin預(yù)計，未來將會出現(xiàn)針對MRAM發(fā)展的原生市場，特別是嵌入式應(yīng)用，而且還取代了裝置內(nèi)部采用SRAM或不同的存儲器快取的位置。Coughlin說，“因為這些元件及其非揮發(fā)性存儲器功能，很快地，市占率將會出現(xiàn)一些變化，同時帶來新的市場發(fā)展。”
雖然MRAM確定將在存儲器元件的未來發(fā)揮重要作用，但他說目前還處于發(fā)展的早期階段， MRAM主要仍然用于利基型應(yīng)用中。至于STT開發(fā)的PSC結(jié)構(gòu)將在這個市場上扮演多么重要的角色，還有待時間的證明。Coughlin說：“打造更精巧的結(jié)構(gòu)確實有其價值，它比傳統(tǒng)的MRAM產(chǎn)品更有利于進一步擴展。但你必須重新審視，仔細看看它實際上如何運作。”
Coughlin預(yù)計，明年將會有許多的MRAM產(chǎn)品上市，特別是隨著代工廠和主要半導(dǎo)體公司量產(chǎn)，將更加著重于嵌入式市場。“人們將會尋求差異化，而這將有助于其找到一些方法，以減輕其投入產(chǎn)品差異化的技術(shù)與資源。”
展望未來五年，Coughlin表示，MRAM將會是一個更大的利基市場。他說：“許多商用產(chǎn)品甚至在那之后的一、年內(nèi)都還無法到位或投入使用。
關(guān)鍵詞：MRAM
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宇芯有限公司自成立以來，我們專注于代理國內(nèi)外各大知名品牌的半導(dǎo)體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin、來楊Lyontek、ISSI、CYPRESS等多個品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片，致力于為客戶提供具有競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲方案解決商。
磁阻式隨機存取存儲器(Magnetic RAM;MRAM)新創(chuàng)公司Spin Transfer Technologies (STT)最近開發(fā)出MRAM專用技術(shù)，據(jù)說能夠以同步提高數(shù)據(jù)保持(retention)與降低電流的方式，加強任何MRAM陣列的性能。
STT技術(shù)長Mustafa Pinarbasi介紹，該公司開發(fā)出的“歲差自旋電流”(Precessional Spin Current;PSC)結(jié)構(gòu)，有望提高MRAM的密度和零漏電流的能力。這種新的結(jié)構(gòu)能應(yīng)用于行動、數(shù)據(jù)中心CPU、汽車、儲存、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)與人工智慧等(AI)領(lǐng)域。
這種PSC結(jié)構(gòu)將能夠讓MRAM元件的自旋力矩(spin-torque)效率提高40%至70%。這說明它的數(shù)據(jù)保持能力不僅更高，而且功耗還更低。Pinarbasi表示，這些好處可轉(zhuǎn)化為延長超過10,000倍的保持時間，所以，1小時可延長至1年以上，而寫入電流則減少了。此外，隨著垂直磁穿隧接面(pMTJ)越來越小，PSC結(jié)構(gòu)的效率將會更高。Pinarbasi說：“我們開發(fā)的是一種模組化的結(jié)構(gòu)，它確實是PMTJ元件的延伸。”。
MRAM新創(chuàng)公司STT表示，其PSC結(jié)構(gòu)能將MRAM元件的自旋力矩效率提高40%～70%
STT業(yè)務(wù)開發(fā)資深副總裁Jeff Lewis補充道，“我們最初就將它打造成模組化的設(shè)計。這說明我們能將此PSC結(jié)構(gòu)添加到其他任何的pMTJ中。您可以將它視為現(xiàn)有MRAM設(shè)計的『渦輪增壓器』。”
Lewis說，PSC結(jié)構(gòu)可以被整合于所有MRAM制造商的現(xiàn)有流程中。除了生產(chǎn)STT-MRAM時原本使用的材料或工具，不用再另行添加，所以，該結(jié)構(gòu)幾乎不會對于代工廠帶來任何復(fù)雜度或成本。
Pinarbasi說，PSC結(jié)構(gòu)在工作中有兩種特殊效應(yīng)。一種是靜態(tài)的，另一種則是動態(tài)的。因為靜電效應(yīng)能夠大量提高元件的數(shù)據(jù)保持能力。
而動態(tài)效應(yīng)則能從0切換到1，反之亦然，而且這很重要，因為靜態(tài)保持能力和電流之間始終存在相關(guān)性。Pinarbasi說：“如今，我們已經(jīng)將這兩種效應(yīng)分開來了，可以在獨立提高數(shù)據(jù)保持的同時也降低電流。”
雖然PSC結(jié)構(gòu)能讓STT-MRAM解決SRAM的尺寸和成本缺點，以及DRAM的揮發(fā)性和功耗復(fù)雜度，但Pinarbasi說，STT并不僅僅將基于PSC結(jié)構(gòu)的MRAM視為取代現(xiàn)有存儲器的技術(shù)，還打算將它用于物聯(lián)網(wǎng)、汽車和人工智慧帶來的綠地機會。
PSC結(jié)構(gòu)為特定電流提供了顯著的速度增益。在125μA時，PSC的速度低于4ns，而使用4Kbit晶片和40nm元件尺寸時，pMTJ的速度還不到30ns
市場研究機構(gòu)Coughlin Associates資深分析師兼創(chuàng)辦人Thomas Coughlin預(yù)計，未來將會出現(xiàn)針對MRAM發(fā)展的原生市場，特別是嵌入式應(yīng)用，而且還取代了裝置內(nèi)部采用SRAM或不同的存儲器快取的位置。Coughlin說，“因為這些元件及其非揮發(fā)性存儲器功能，很快地，市占率將會出現(xiàn)一些變化，同時帶來新的市場發(fā)展。”
雖然MRAM確定將在存儲器元件的未來發(fā)揮重要作用，但他說目前還處于發(fā)展的早期階段， MRAM主要仍然用于利基型應(yīng)用中。至于STT開發(fā)的PSC結(jié)構(gòu)將在這個市場上扮演多么重要的角色，還有待時間的證明。Coughlin說：“打造更精巧的結(jié)構(gòu)確實有其價值，它比傳統(tǒng)的MRAM產(chǎn)品更有利于進一步擴展。但你必須重新審視，仔細看看它實際上如何運作。”
Coughlin預(yù)計，明年將會有許多的MRAM產(chǎn)品上市，特別是隨著代工廠和主要半導(dǎo)體公司量產(chǎn)，將更加著重于嵌入式市場。“人們將會尋求差異化，而這將有助于其找到一些方法，以減輕其投入產(chǎn)品差異化的技術(shù)與資源。”
展望未來五年，Coughlin表示，MRAM將會是一個更大的利基市場。他說：“許多商用產(chǎn)品甚至在那之后的一、年內(nèi)都還無法到位或投入使用。
關(guān)鍵詞：MRAM
上一篇：大陸IC設(shè)計業(yè)者推7nm芯片
宇芯有限公司自成立以來，我們專注于代理國內(nèi)外各大知名品牌的半導(dǎo)體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin、來楊Lyontek、ISSI、CYPRESS等多個品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片，致力于為客戶提供具有競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲方案解決商。
