復旦大學研發(fā)出第三種存儲技術
來源：宇芯有限公司 日期：2018-06-27 16:29:21
目前世界上現(xiàn)有的存儲技術有兩種，一種是以內存為代表的易失性存儲，速度很快，但斷電后數(shù)據(jù)就丟失了，無法保存；另一種是以U盤為代表的非易失性存儲，斷電后依然能夠保存數(shù)據(jù)，但缺點就是讀寫速度慢。近期復旦大學微電子學院的團隊則研發(fā)出了第三種存儲技術，不但能保證超高的讀寫速度，又能保證斷電后數(shù)據(jù)不會丟失。
據(jù)團隊人員介紹，基于這項技術制作的存儲元器件，其寫入速度將會比普通U盤快上10000倍。
而且這項技術的特別之處在于能夠按需對數(shù)據(jù)的存儲時長進行調整。它的原理是，這種技術采用了多重二維半導體材料，只要通過對材料比例的控制，便可以控制寫入速度與斷電數(shù)據(jù)保留時長的比例。
目前這項技術還僅僅存在于實驗室中，不過這項技術誕生于中國復旦大學，看來中國研發(fā)已經往世界水平看齊了。
關鍵詞：
存儲芯片
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