MRAM場(chǎng)合應(yīng)用的例子
來(lái)源：宇芯有限公司 日期：2020-02-17 10:24:09
MRAM目前處于鎖定三大技術(shù)的早期階段：其一是作為非揮發(fā)性存儲(chǔ)器(NVM)領(lǐng)域的替代方案，特別是嵌入式NOR flash。此外它還可以作為傳統(tǒng)CMOS高速嵌入式靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)的替代技術(shù)。我認(rèn)為這項(xiàng)技術(shù)更適于在此領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)差異化。第三是作為DRAM的替代技術(shù)。目前DRAM市場(chǎng)成長(zhǎng)開始趨緩，未來(lái)可能會(huì)由特別有利于儲(chǔ)存應(yīng)用的持久特性主導(dǎo)市場(chǎng)成長(zhǎng)。
至今許多采用MRAM的場(chǎng)合都離不開儲(chǔ)存應(yīng)用。是否還有其他細(xì)分市場(chǎng)存在新應(yīng)用的例子？
在手機(jī)中有幾個(gè)地方需要超過200Mb的靜態(tài)存儲(chǔ)器，而當(dāng)你嘗試使用SRAM時(shí)，就會(huì)發(fā)現(xiàn)那真的是在燒錢。降低靜態(tài)存儲(chǔ)器的成本看來(lái)勢(shì)在必行，再者因?yàn)樗迷谛袆?dòng)裝置中，所以對(duì)于功耗也十分敏感。40nm以下的傳統(tǒng)解決方案由于漏電流之故而經(jīng)常耗用較大電源。如今以MRAM取代SRAM幾乎可完全排除漏電流的問題。
此外，為使用中的資料提供保護(hù)方面也是一大挑戰(zhàn)。許多應(yīng)用都需要高頻寬，高速資料經(jīng)由系統(tǒng)傳送的同時(shí)，也進(jìn)入其永久儲(chǔ)存的位置。在資料順利傳送到安全可靠的最終存放位置以前，如果發(fā)生了危及資料的故障情況會(huì)很麻煩，這正是MRAM得以發(fā)揮作用之處。宇芯有限公司
everspin代理 MRAM芯片,不同容量大小，并提供技術(shù)支持
Everspin MRAM芯片型號(hào)
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型號(hào) |
容量 |
位寬 |
電壓(V) |
溫度 |
封裝 |
MOQ /卷帶 |
| MR25H40CDC |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40℃to+85℃ |
8-DFN |
4,000 |
| MR20H40CDF |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN sf |
4,000 |
| MR25H40CDF |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40 ℃to +85℃ |
8-DFN sf |
4,000 |
| MR25H40MDF |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN sf |
4,000 |
| MR25H10CDC |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN |
4,000 |
| MR25H10MDC |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN |
4,000 |
| MR25H10CDF |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN sf |
4,000 |
| MR25H10MDF |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN sf |
4,000 |
關(guān)鍵詞：MRAM
宇芯有限公司自成立以來(lái)，我們專注于代理國(guó)內(nèi)外各大知名品牌的半導(dǎo)體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來(lái)?xiàng)頛yontek、ISSI、CYPRESS等多個(gè)品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲(chǔ)器芯片，致力于為客戶提供具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲(chǔ)方案解決商。
