SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失，因此SRAM具有較高的性能。對(duì)已完成的sram存儲(chǔ)器主板進(jìn)行操作。在msdos模式下啟動(dòng)，利用debug指令，從d0000h開始試著進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀/寫操作。如果確認(rèn)了主板能夠正常運(yùn)行，則為各份電源連接器（cn2）提供電源，去掉個(gè)人計(jì)算機(jī)的電源，損耗電流在40μa左右。

 

重新啟動(dòng)ms－dos模式，讀取剛才寫人的地址，因?yàn)槟軌蜃x出所寫人的數(shù)據(jù)，因而可知各份電源是起到了相應(yīng)的作用的。

 

由于從d0000h開始的領(lǐng)域?yàn)閜c/at的擴(kuò)展bios領(lǐng)域，如果sram上事先寫入了附加頭信息等的數(shù)據(jù)，則在操作系統(tǒng)啟動(dòng)前將被調(diào)用。在sram上安裝各種經(jīng)過仔細(xì)研究的程序進(jìn)行試驗(yàn)，你就會(huì)有非常有趣的發(fā)現(xiàn)。

 

sram與閃速存儲(chǔ)器等不同，它的替換操作是非常簡(jiǎn)單的，可以以1字節(jié)為單位進(jìn)行替換，并且不需要替換時(shí)間。一旦拔掉電池?cái)?shù)據(jù)將丟失，因而在實(shí)施rom化之前的階段，可以進(jìn)行各種各樣的實(shí)驗(yàn)，這是其方便之處。


關(guān)鍵詞：SRAM