MRAM技術(shù)自20世紀(jì)90年代以來一直在發(fā)展，但尚未取得廣泛的商業(yè)成功。三星研發(fā)中心的首席工程師認為現(xiàn)在是展示可制造和商業(yè)化的時候了。
 
除了被視為獨立設(shè)備的有希望的候選者，以取代內(nèi)存芯片堅定的DRAM和NAND閃存 - 隨著行業(yè)轉(zhuǎn)向更小的節(jié)點面臨嚴重的擴展挑戰(zhàn) - MRAM，一個非易失性存儲器，吸引人的作為一個嵌入式技術(shù)替代閃存和嵌入式SRAM，因為它具有快速的讀/寫時間，高耐用性和強大的保留能力。嵌入式MRAM被認為特別適用于諸如物聯(lián)網(wǎng)（IoT）設(shè)備之類的應(yīng)用。
 
自去年以來，Globalfoundries一直在其22FDX 22-nm FD-SOI工藝上提供嵌入式MRAM。
 
但隨著制造成本下降以及其他存儲器技術(shù)面臨可擴展性挑戰(zhàn)，嵌入式MRAM正在獲得更多考慮。重要是憑借新的工藝技術(shù)，sram單元的尺寸不會隨著剩余的工藝而縮小，因此MRAM變得越來越有吸引力。
 
其嵌入式MRAM技術(shù)可在200攝氏度下實現(xiàn)10年的保留，并可在超過10 6個開關(guān)周期內(nèi)實現(xiàn)10年的保持。該技術(shù)使用216×225 mm 1T-1R存儲單元。8Mb MRAM的耐久性為10 6個周期，保留期為10年。
 
Song表示，三星技術(shù)最初將用于物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用，并補充說在將其用于汽車和工業(yè)應(yīng)用之前必須提高可靠性。已成功將該技術(shù)從實驗室轉(zhuǎn)移到工廠，并將在不久的將來將其推向市場。
 

關(guān)鍵詞：MRAM