ISSI為汽車(chē)，數(shù)字消費(fèi)者以及工業(yè)和醫(yī)療主要市場(chǎng)設(shè)計(jì)。其主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM芯片和中低密度DRAM存儲(chǔ)器。還設(shè)計(jì)和銷(xiāo)售NOR閃存產(chǎn)品以及高性能模擬和混合信號(hào)集成電路。為關(guān)鍵市場(chǎng)開(kāi)發(fā)精選的非內(nèi)存產(chǎn)品。為了增加產(chǎn)品的多樣化并提供SRAM，DRAM和閃存專業(yè)知識(shí)相輔相成的產(chǎn)品。其中旗下的IS62WV102416AL在市場(chǎng)上深受各汽車(chē),工業(yè)行業(yè)的喜愛(ài)。ISSI代理商宇芯電子可提供樣品及技術(shù)指導(dǎo).
 
描述
ISSI IS62WV102416ALL是高速的16M位靜態(tài)RAM，組織為1024K字乘以16位。它主要是使用ISSI高性能CMOS技術(shù)所制造出來(lái)的。這種可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)就可生產(chǎn)出高性能和低功耗的設(shè)備。
 
當(dāng)CS1為高電平（取消選擇）或CS2為低電平（取消選擇）或CS1為低電平，CS2為高電平且LB和UBare均為高電平時(shí)，器件將處于待機(jī)模式，在待機(jī)模式下可以通過(guò)CMOS輸入電平降低功耗。
 
使用芯片使能和輸出使能輸入可輕松擴(kuò)展存儲(chǔ)器。激活的LOW Write Enable（WE）控制存儲(chǔ)器的寫(xiě)入和讀取。數(shù)據(jù)字節(jié)允許訪問(wèn)高字節(jié)（UB）和低字節(jié)（LB）。該器件采用的是JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的48引腳TSOP I型和48引腳Mini BGA（9mm x 11mm）的封裝形式。
 
1Mx16低功耗引腳配置
48針迷你BGA（9mmx11mm）

 
48引腳TSOP-I（12mm x 20mm）
   
特征
•高速訪問(wèn)時(shí)間：
 25、35 ns
•高性能，低功耗CMOS工藝
•多個(gè)中心電源和接地引腳，增強(qiáng)了抗噪能力
•通過(guò)CS1和OE選項(xiàng)輕松擴(kuò)展內(nèi)存
•CS1掉電
•完全靜態(tài)操作：無(wú)需時(shí)鐘或刷新
•TTL兼容輸入和輸出
•單電源
Vdd 1.65V至2.2V（IS62WV102416ALL）
Vdd 1.65V至2.2V的速度= 35ns
Vdd 2.4V至3.6V（IS62 / 65WV102416BLL）
Vdd 2.4V至3.6V的速度= 25ns
•可用軟件包：
– 48球miniBGA（9mm x 11mm）
– 48引腳TSOP（I型）
•工業(yè)和汽車(chē)溫度支持
•無(wú)鉛
•高低字節(jié)數(shù)據(jù)控制


 ISSI IS62WV102416ALL系列

型號(hào)	容量	位寬	電壓	速度（ns）	封裝
IS62WV102416ALL/BLL	16Mb	1Mx16	1.65-3.6V	25,35	TSOP1(48),BGA(48)
IS62WV102416DALL/BLL	16Mb	1Mx16/2Mx8	1.65-3.6V	35,45,55	TSOP1(48)
IS62WV102416EALL/BLL	16Mb	1Mx16	1.65-3.6V	35,45,55	BGA(48)

 
 
關(guān)鍵詞：IS62WV102416ALL  SRAM