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幾種非易失性存儲器的比較
來源：宇芯有限公司 日期：2020-10-21 10:31:05
SRAM為數(shù)據(jù)訪問和存儲提供了一個(gè)快速且可靠的手段。由系統(tǒng)電源或其他備用電源（如電池）供電時(shí)，他們就具有非易失性。表1給出了幾種給定的非易失性存儲器存儲技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)。
NVSRAM中的電池對于數(shù)據(jù)保存來說至關(guān)重要。電池的不良接觸會極大地影響電池壽命。其他因素，如震動(dòng)、濕度以及內(nèi)置的電池切換電路都會縮短電池的使用壽命，同時(shí)也會影響系統(tǒng)的整體可靠性。這些問題帶來的最直接的后果是∶終端客戶更換電池的時(shí)間間隔更短了，例如每年就需要更換一次，而不是5~10年一次。
NV-SRAM模塊不僅可以快速且可靠的存儲數(shù)據(jù)，而且在封裝技術(shù)方面也很有競爭力。這些器件適用于需要安全數(shù)據(jù)存儲以及幾乎不需要現(xiàn)場維護(hù)的場合。
關(guān)鍵詞：NV-SRAM
宇芯有限公司自成立以來，我們專注于代理國內(nèi)外各大知名品牌的半導(dǎo)體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來?xiàng)頛yontek、ISSI、CYPRESS等多個(gè)品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片，致力于為客戶提供具有競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲方案解決商。
表1非易失性存儲器比較
NVSRAM中的電池對于數(shù)據(jù)保存來說至關(guān)重要。電池的不良接觸會極大地影響電池壽命。其他因素，如震動(dòng)、濕度以及內(nèi)置的電池切換電路都會縮短電池的使用壽命，同時(shí)也會影響系統(tǒng)的整體可靠性。這些問題帶來的最直接的后果是∶終端客戶更換電池的時(shí)間間隔更短了，例如每年就需要更換一次，而不是5~10年一次。
NV-SRAM模塊不僅可以快速且可靠的存儲數(shù)據(jù)，而且在封裝技術(shù)方面也很有競爭力。這些器件適用于需要安全數(shù)據(jù)存儲以及幾乎不需要現(xiàn)場維護(hù)的場合。
關(guān)鍵詞：NV-SRAM
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