Everspin是設(shè)計(jì)制造和商業(yè)銷售分立磁阻RAM（MRAM）到市場和應(yīng)用的全球領(lǐng)導(dǎo)者，在這些市場和應(yīng)用中，數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。
 
Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以與速度更快的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T配合使用，但也使系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員可以利用MRAM的四倍隨機(jī)存取周期時(shí)間。Everspin 8Mb MRAM MR3A16ACMA35采用48引腳BGA封裝。everspin代理宇芯電子支持提供產(chǎn)品應(yīng)用解決方案等支持。
 
MR3A16ACMA35的優(yōu)點(diǎn)
與富士通FRAM相比，升級(jí)到Everspin MRAM具有許多好處：
•更快的隨機(jī)訪問操作時(shí)間
•高可靠性和數(shù)據(jù)保留
•無限的讀/寫耐久性
•無磨損
•有競爭力的定價(jià)
•穩(wěn)定的制造業(yè)供應(yīng)鏈
•小尺寸BGA封裝
 
普通引腳
MR3A16ACMA35是一個(gè)8Mb非易失性RAM，組織為512kx16，采用3.3V標(biāo)稱電源供電，并與FRAM兼容。兩種產(chǎn)品都使用標(biāo)準(zhǔn)的sram并行地址（A0-16），字節(jié)寬的雙向數(shù)據(jù)引腳（DQ0-7）和控制信號(hào)（/E，/W，/G）。每個(gè)模塊都可以由一個(gè)公共的定時(shí)接口支持，并用作隨機(jī)存取讀/寫存儲(chǔ)器，在斷電時(shí)無需外部電池即可保留數(shù)據(jù)。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。

 
   
MRAM提供更快的時(shí)序
 
MR3A16ACMA35和MB85R8M2T使用類似于標(biāo)準(zhǔn)SRAM的地址，數(shù)據(jù)和控制信號(hào)。然而，Everspin MR3A16ACMA35允許以35ns的速度進(jìn)行更快的讀寫操作。富士通FRAM需要至少150ns的讀取周期時(shí)間才能進(jìn)行隨機(jī)讀取訪問。MB85R8M2T的內(nèi)部操作在進(jìn)行75ns的初始讀取訪問后需要至少75ns的預(yù)充電時(shí)間，從而導(dǎo)致150ns的隨機(jī)訪問最小循環(huán)時(shí)間。無論是器件自定時(shí)還是由用戶通過將/CE調(diào)高來啟動(dòng)，都存在預(yù)充電時(shí)間。FRAM在周期時(shí)間的初始訪問部分執(zhí)行讀取操作，然后在預(yù)充電時(shí)間內(nèi)將數(shù)據(jù)恢復(fù)到存儲(chǔ)單元（寫回?cái)?shù)據(jù)），就像DRAM一樣。這稱為破壞性讀出操作。MRAM可以以這種較慢的FRAM讀取順序進(jìn)行操作，但是MRAM實(shí)際上具有更快的速度，因?yàn)樗鼪]有破壞性的讀取機(jī)制。讀取和寫入周期都會(huì)磨損FRAM。
 
MRAM具有無限的讀寫耐久性。MR3A16ACMA35支持35ns的讀取訪問和循環(huán)時(shí)間。MR1A16ACMA35不需要預(yù)充電周期，其初始讀取訪問時(shí)間比FRAM快兩倍，而隨機(jī)訪問則快四倍。FRAM與讀周期一樣需要150ns的時(shí)間來完成寫周期。MRAM將以此時(shí)序運(yùn)行，但實(shí)際上其寫入周期僅為35ns（比FRAM快4倍）。為了利用MR3A16ACMA35快四倍的隨機(jī)讀寫速度，您可能希望修改控制接口。MRAM無需更改即可直接插入大多數(shù)SRAM控制器。
 
 
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