眾所周知，基于DRAM自身的局限性，從DDR3到DDR4的更替花了6年左右，而從DDR4到DDR5則時(shí)隔八年之久，真可謂是千呼萬喚始出來。
 
作為DDR4的后繼者，容量更大、速率更高、功耗更低等特性是DDR5相較于DDR4最明顯的進(jìn)步，這為DDR5在引領(lǐng)大數(shù)據(jù)和AI時(shí)代方面，占據(jù)了先天優(yōu)勢(shì)。具體來說就是DDR5的內(nèi)存密度和速度再次得到了更新，單個(gè)存儲(chǔ)芯片達(dá)到了64Gbit的密度，相較DDR4的最大16Gbit密度提升了3倍；最大內(nèi)存速度為6.4Gbps，是DDR4的兩倍；同時(shí)DDR5的Vdd從DDR4的1.2V降低到了1.1V，性能得到了翻倍，功耗進(jìn)一步降低。
 
目前的市場(chǎng)高度關(guān)注DDR5的落地時(shí)間。根據(jù)SK Hynix的預(yù)測(cè)，對(duì)DDR5內(nèi)存模組的需求增長(zhǎng)，到2022年將會(huì)有10%的市場(chǎng)占有率，也就是說2021年中到下半年是最早可用DDR5的時(shí)間窗口，而大規(guī)模鋪貨要等到2022年以后了。所以今年正是內(nèi)存模組廠商加快布局的好機(jī)會(huì)。
 
國內(nèi)廠商將在針對(duì)DDR5的一些新特性帶來的挑戰(zhàn)上，結(jié)合自己的技術(shù)優(yōu)勢(shì)、研發(fā)能力做出優(yōu)化方案。比如DDR5內(nèi)存的并發(fā)性在DDR4的基礎(chǔ)上提升了一倍，信號(hào)承載量倍增，為了能夠更完整高效地傳遞，將在DDR5 DIMM新架構(gòu)中設(shè)計(jì)采用片內(nèi)末端終結(jié)技術(shù)及全新的PMIC電源架構(gòu)；由于DDR5的速率相較于DDR4提升了兩倍，設(shè)計(jì)了更高速的PCB板來兼容DDR5顆粒，新架構(gòu)中采用了兩個(gè)完全獨(dú)立的32位通道，提高了并發(fā)性，并使系統(tǒng)中可用的內(nèi)存通道增加了一倍。當(dāng)然國內(nèi)廠商是否還采用其他一系列的技術(shù)優(yōu)化、改進(jìn)，帶來DDR5性能的更優(yōu)體驗(yàn)。
 
相信各大廠商已在DDR5賽道上開啟競(jìng)速模式，2021年或成DDR5商用元年。在可預(yù)見的未來數(shù)年里，無論是技術(shù)還是產(chǎn)品方面，讓我們期待國內(nèi)廠商在DDR5的成熟開發(fā)、應(yīng)用上再次為存儲(chǔ)市場(chǎng)注入新的生命力。
 
關(guān)鍵詞：DRAM

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