鐵電隨機存取內(nèi)存FRAM是一種采用鐵電質薄膜作為電容器以儲存數(shù)據(jù)的內(nèi)存，即便在沒有電源的情況下仍可保存數(shù)據(jù)。FRAM結合了ROM和RAM的特性，并擁有高速寫入數(shù)據(jù)、低功耗和高速讀/寫周期的優(yōu)點。富士通自1999年即開始生產(chǎn)FRAM，亦稱為FeRAM。
 
富士通電子元器件型號為MB85RS4MTY的4Mbit FRAM，其容量達到FRAM產(chǎn)品最高水平，運作溫度最高可達125℃。這款全新FRAM是非易失性內(nèi)存產(chǎn)品，在125℃溫環(huán)境下可以達到10兆次讀/寫次數(shù)，工作電流低，是工業(yè)機器人和高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）等汽車應用的最佳選擇。富士通FRAM代理宇芯電子支持產(chǎn)品相關技術支持。

   
FRAM的讀/寫耐久性、寫入速度和功耗均優(yōu)于EEPROM和閃存，并已量產(chǎn)20多年，近年來廣泛用于可穿戴設備、工業(yè)機器人和無人機。
 
自去年發(fā)布以來，2Mbit FRAM MB85RS2MTY已在汽車和工業(yè)設備中獲得廣泛應用，而MB85RS4MTY將其容量提高了一倍，達到4Mbit，滿足更高容量的需求，配有SPI接口，工作電壓為1.8V至3.6V。由于這款FRAM工作電流低，即使在125℃高溫下，最大工作電流僅為4mA（運作頻率50MHz），最大掉電模式電流為30µA，因此有助于降低環(huán)境敏感應用的功耗。
 
這款全新FRAM在-40℃至+125℃溫度范圍內(nèi)可以達到10兆次讀/寫次數(shù)，適合某些需要實時數(shù)據(jù)記錄的應用。例如每0.03毫秒重寫一次數(shù)據(jù)，同一地址連續(xù)記錄數(shù)據(jù)可達10年之久。
 
這款FRAM產(chǎn)品采用業(yè)界標準8-pin SOP封裝，可輕松取代現(xiàn)有類似引腳的EEPROM。此外，還提供8-pin DFN（無引線雙側扁平）封裝。

   
關鍵規(guī)格
 
·組件型號：MB85RS4MT
·容量（組態(tài)）：4Mbit（512Kx8位）
·接口：SPI（Serial Peripheral Interface）
·運作頻率：最高50MHz
·運作電壓：1.8V-3.6V
·運作溫度范圍：-40℃-+125℃
·讀/寫耐久性：10兆次（10¹³次）
·封裝規(guī)格：8-pin DFN，8-pin SOP


關鍵詞：FRAM  MB85RS4MT

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