盡管受到疫情和芯片短缺的影響，有分析師預(yù)測，2021年Q1全球DRAM市場，三星的市場份額達(dá)到41.7%，排名第一。按照這種趨勢，三星在2021年有望繼續(xù)拿下市場冠軍，連續(xù)30年保持世界第一。
 
自2002年以來，三星在NAND FLASH領(lǐng)域也是全球領(lǐng)先者。目前控制著超過三分之一的市場，尤其在固態(tài)硬盤（SSD）領(lǐng)域保持市場強(qiáng)勢地位。
 
三星電子在世界上首次成功實(shí)現(xiàn)SSD的商業(yè)化，目前占據(jù)33.3%的市場份額，是英特爾的兩倍，英特爾以16.7%的占有率位居第二。
 
這家韓國科技巨頭表示，將繼續(xù)擴(kuò)大數(shù)據(jù)中心SSD的產(chǎn)品陣容。本月早些時(shí)候，三星推出一款采用先進(jìn)數(shù)據(jù)管理技術(shù)的新型企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤。
 
根據(jù)全球市場研究機(jī)構(gòu)國際數(shù)據(jù)公司（IDC） 的數(shù)據(jù)顯示，預(yù)計(jì)從2020年開始，全球企業(yè)級(jí)SSD市場將每年以21.5%的速度增長，到2024年將達(dá)到28萬億韓元（約合人民幣1605億元）。
 
三星正在強(qiáng)化垂直堆疊型結(jié)構(gòu)NAND閃存芯片（V-NAND）方面的技術(shù)，以鞏固其業(yè)界領(lǐng)先地位。這項(xiàng)技術(shù)由三星開發(fā)，在業(yè)界尚屬首次。
 
6月8日，三星電子存儲(chǔ)器項(xiàng)目閃存開發(fā)室長兼副社長Jaihyuk Song在一份內(nèi)部文件表示，該公司將以‘3D scaling（縮放）’技術(shù)，進(jìn)一步縮小存儲(chǔ)單元尺寸。
 
三星將通過該技術(shù)，計(jì)劃于今年下半年推出176層的第七代V-NAND產(chǎn)品，將單元體積縮小35%。
 
有分析人士預(yù)測認(rèn)為，由于“壓抑性消費(fèi)”以及半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入超級(jí)周期，三星電子的第二季度營業(yè)利潤有望超過10.4萬億韓元（約合人民幣596億元）。
 
然而，三星電子在非內(nèi)存領(lǐng)域面臨挑戰(zhàn)，在系統(tǒng)半導(dǎo)體市場的占有率僅為個(gè)位數(shù)。韓國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)偏重于DRAM等存儲(chǔ)產(chǎn)品。
 
三星電子和SK海力士在全球內(nèi)存芯片市場上分別排名第一和第二位。但是，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器占整個(gè)半導(dǎo)體市場銷售額比重只有30%左右，系統(tǒng)半導(dǎo)體占70%。
 
三星是全球第二大晶圓代工廠商，但其市場份額僅為18%，遠(yuǎn)低于臺(tái)積電的56%。公司每年計(jì)劃斥資10萬億韓元，用于研發(fā)芯片代工技術(shù)并購買必要設(shè)備，但遠(yuǎn)不及臺(tái)積電的年度投資金額——30萬億韓元。
 
三星于5月中旬宣布，計(jì)劃到2030年投入171萬億韓元（約合人民幣9657億元），以趕超全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電，這比三星繼承人李在镕在2019年宣布的投資額133萬億韓元高出28.5%。


關(guān)鍵詞：DRAM,NAND FLASH

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