過去幾年，人們對自動駕駛汽車產生了極大的熱情。這的確在情理之中。自動駕駛汽車有望帶來影響深遠的好處：提高燃油效率、縮短行車時間、提高乘客體驗和工作效率，讓可能無法開車的老人和殘疾人自由駕駛，以及最重要的提高道路安全。
 
由于現(xiàn)在很多汽車都支持線控技術，因此將這一功能從簡單地提醒駕駛員超速的系統(tǒng)擴展到防止駕駛員超速的系統(tǒng)可能相對簡單，并且可以大大提高道路安全性。
 
行車記錄儀是用于記錄事故發(fā)生前各個重要子系統(tǒng)數(shù)據(jù)的系統(tǒng)。可以安裝在ADAS主控單元，或者安裝在另一個接收重要傳感器數(shù)據(jù)并與ADAS MCU進行通信的MCU中。
 
行車記錄儀通過測量汽車前部壓力傳感器的撞擊力、車速、發(fā)動機轉速、轉向輸入、油門位置、制動狀態(tài)、安全帶狀態(tài)(檢測乘客)、輪胎氣壓、警告信號以及安全氣囊打開狀態(tài)，從而判斷碰撞嚴重程度。并且在汽車碰撞前和碰撞期間記錄以上數(shù)據(jù)。顯然，微控制器不能等到事故發(fā)生才開始記錄數(shù)據(jù)。因此，微控制器需要連續(xù)存儲數(shù)據(jù)。所以，EDR需要一個具有幾乎無限寫次數(shù)的非易失性存儲器。
 
FRAM存儲器比ADAS的傳統(tǒng)EEPROM擁有更多優(yōu)勢。無需寫等待時，幾乎可以實時存儲重要數(shù)據(jù)(實際10us存儲時間)，這一點對ADAS來說至關重要。EEPROM通常需要超過10毫秒的寫等待時間，因此不適用于高安全性應用。FRAM同時具備無寫延遲和高速時鐘速度，非常適合需要快速寫入大量數(shù)據(jù)的應用。使用SPI時，設計師可以自由決定FRAM的寫入字節(jié)數(shù)。把一個或兩個字節(jié)寫入FRAM的隨機位置時，寫入周期約為1微秒。反觀EEPROM或閃存，則需要5-10毫秒的寫入周期。
 
與EEPROM或閃存不一樣的是，F(xiàn)RAM無需頁面緩沖區(qū)。在接收每個字節(jié)的第8位之后，F(xiàn)RAM立即寫入每個數(shù)據(jù)字節(jié)。這意味著，系統(tǒng)存儲器密度增長時，工程師不必擔心頁面緩沖區(qū)大小的變化。
 
就寫入耐久性而言，F(xiàn)RAM可以支持100億次寫操作，遠遠超過EEPROM的100萬次以及閃存的10萬次。因此FRAM可以用作追蹤數(shù)據(jù)記錄器，可以不斷寫入數(shù)據(jù)。此外FRAM的寫入和讀取的消耗功率非常低(例如1Mhz時為300微安)，因此非常適用于事故引起斷電時需要使用低功率備用電源或通過電容寫入數(shù)據(jù)的ADAS。與其他非易失性存儲器相比，F(xiàn)RAM的待機電流也低得多(通常為100微安)。

關鍵詞： FRAM,鐵電存儲器,EEPROM

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