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如何對外擴(kuò)SRAM進(jìn)行讀寫
如何對SRAM進(jìn)行讀寫使用指針的方法進(jìn)行讀寫不需要寫讀寫函數(shù)，可以直接使用指針的方式對STM32的內(nèi)存地址進(jìn)行訪問。（1）首先要定義SRAM的基
2020-02-20
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汽車電子MCU設(shè)計方法
針對汽車電子領(lǐng)域來講，將對整車級、零部件級的電磁兼容要求強(qiáng)制性標(biāo)準(zhǔn)，結(jié)合到集成電路中的設(shè)計，才能使電路更易于設(shè)計出符合標(biāo)準(zhǔn)的最終產(chǎn)
2020-02-19
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ISSI 4Mbit鎖存式SRAM
ISSIIS61 64WV25616LEBLL是高速，低功耗4M位鎖存的靜態(tài)RAM，組織為256K字乘以16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的，并實(shí)現(xiàn)了ECC功能
2020-02-18
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MRAM場合應(yīng)用的例子
MRAM目前處于鎖定三大技術(shù)的早期階段：其一是作為非揮發(fā)性存儲器(NVM)領(lǐng)域的替代方案，特別是嵌入式NOR flash。此外它還可以作為傳統(tǒng)CMOS
2020-02-17
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外部SRAM應(yīng)用場合
SRAM也是隨機(jī)尋址數(shù)據(jù)的最佳選擇。很多SRAM器件都可以存取無序地址的數(shù)據(jù)，反應(yīng)時間與存取有序地址的數(shù)據(jù)一樣短，而SDRAM在這一點(diǎn)上做得并不好。
2020-01-21
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外部SRAM的優(yōu)缺點(diǎn)
部SRAM存儲器所提供比片內(nèi)存儲器更大的存儲容量，速度則是相當(dāng)快，但是稍略遜于片內(nèi)存儲器。常用的外部SRAM的容量可達(dá)128KB至10MB。
2020-01-20
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