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MCU市場應(yīng)用和競爭
現(xiàn)今的MCU已經(jīng)演變成為完整的系統(tǒng)級芯片(SoC)，微處理器內(nèi)核的主頻從4M到200MHz不等;片上模擬模塊包括ADC、運放和DAC等;內(nèi)置的存儲器包括Fl
2021-12-06
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ISSI代理帶SQI接口串行SRAM芯片IS62WVS5128FBLL-20NLI
ISSI型號IS62WVS5128FBLL-20NLI是4M位串行SRAM，ISSI采用低功耗CMOS技術(shù)，位寬8*512K字節(jié)。它是兩個2Mb串行SRAM的雙芯片堆棧。串行SRAM旨在
2021-12-03
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新一代MRAM放眼更廣泛應(yīng)用
在MRAM這類內(nèi)存寫入時，組件的穿隧氧化層會承受的龐大電壓，使得數(shù)據(jù)的保存、寫入耐久性，以及寫入速度三者往往不可兼得，必須有所權(quán)衡。這
2021-12-02
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靈動微電子提供MM32F3270微控制器助力“中移OneOS代碼貢獻賽”
在中移OneOS代碼貢獻賽中，靈動微電子將提供MM32F3270微控制器助力此次競賽。靈動微電子成立于2011年，是中國本土領(lǐng)先的通用32位MCU產(chǎn)品及
2021-12-01
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實現(xiàn)高速運行和低功耗的富士通8Mbit FRAM MB85R8M2T
鐵電隨機存取存儲器是一種使用鐵電文件作為存儲數(shù)據(jù)的電容器的存儲器。即使斷電也能保留內(nèi)容。結(jié)合了ROM和RAM的優(yōu)點，具有快速寫入速度、低
2021-11-26
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芯片短缺的真實原因
對于芯片短缺的原因，業(yè)界眾說紛紜。典型的說法是新冠疫情這一最大的原罪，導(dǎo)致需求激增，汽車廠商與芯片上游的脫鉤、無計劃導(dǎo)致矛盾瞬間爆
2021-11-25
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