ISSI型號(hào)IS62WVS5128FBLL-20NLI是4M位串口SRAM，ISSI采用低功耗CMOS技術(shù)，位寬8*512K字節(jié)。它是兩個(gè)2Mb串行SRAM的雙芯片堆棧。串行SRAM旨在直接與串行外設(shè)接口(SPI)連接。它還可以與MultiIOSPI接口（DualSPI和QuadSPI）連接。該器件包含一個(gè)8位指令寄存器。
 
IS62WVS5128FBLL-20NLI該設(shè)備通過(guò)一個(gè)簡(jiǎn)單的串行外設(shè)接口(SPI)兼容串行總線進(jìn)行訪問(wèn)。所需的總線信號(hào)是時(shí)鐘輸入(SCK)加上單獨(dú)的數(shù)據(jù)輸入(SI)和數(shù)據(jù)輸出(SO)線。通過(guò)片選(CS#)輸入控制對(duì)器件的訪問(wèn)。如果應(yīng)用需要更快的數(shù)據(jù)速率，則支持SDI（串行雙接口）和SQI（串行四接口）。該器件還支持對(duì)存儲(chǔ)器陣列的無(wú)限讀取和寫(xiě)入。
 
IS62WVS5128FBLL-20NLI可用于讀取和寫(xiě)入的字節(jié)、頁(yè)和順序模式，支持的溫度范圍為工業(yè)溫度-40℃至+85℃，汽車(chē)溫度-40℃至+125℃，采用標(biāo)準(zhǔn)8引腳SOIC封裝。
 
主要特點(diǎn)
•SPI兼容總線接口：
-16/20MHz時(shí)鐘頻率
-SPI/SDI/SQI模式
•低功耗CMOS技術(shù)：
-讀取電流：3.6V、20MHz、85°C時(shí)為16mA（最大值）
-CMOS待機(jī)電流：8mA(typ)
•512Kx8位組織：
-32字節(jié)頁(yè)面
•用于讀取和寫(xiě)入的字節(jié)、頁(yè)和順序模式
•支持的溫度范圍：
-工業(yè)(I)：-40℃至+85℃
-汽車(chē)(A3)：-40℃至+125℃
•符合RoHS
-8引腳SOIC封裝

ISSI主要是為汽車(chē)，通信，數(shù)字消費(fèi)，以及工業(yè)和醫(yī)療市場(chǎng)設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)和銷(xiāo)售高性能集成電路的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者。主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM 和中低密度 DRAM。還設(shè)計(jì)和銷(xiāo)售 NOR 閃存產(chǎn)品以及高性能模擬和混合信號(hào)集成電路。ISSI代理宇芯電子可提供樣品測(cè)試及技術(shù)支持。

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