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富士通FRAM存儲(chǔ)器1Mbit SPI MB85RS1MT資料
MB85RS1MT是FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）芯片，配置為131,072字×8位，使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)來(lái)形成非易失性存儲(chǔ)單元。采用串
2021-05-17
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“MCU+”或是國(guó)產(chǎn)MCU彎道超車(chē)的機(jī)會(huì)
電子產(chǎn)品的數(shù)量在不斷攀升，形態(tài)也在不斷進(jìn)化，尤其近些年物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的興起與普及，產(chǎn)品智能化已成為大勢(shì)所趨，而這波缺貨潮會(huì)加快這一趨勢(shì)
2021-05-14
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賽普拉斯FRAM非易失性存儲(chǔ)器FM33256B-G
FM33256B-G器件將FRAM存儲(chǔ)器與基于處理器的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存儲(chǔ)器，實(shí)時(shí)時(shí)鐘，低VDD復(fù)位，看門(mén)狗定時(shí)器
2021-05-13
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兆易創(chuàng)新:NOR Flash已經(jīng)全面導(dǎo)入55nm工藝，產(chǎn)能穩(wěn)步提升
TWS耳機(jī)、機(jī)頂盒、筆記本、平板、汽車(chē)儀表盤(pán)、5G基站、AMoled顯示屏、路由器、醫(yī)療電子設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備 這一長(zhǎng)串設(shè)備都需要一個(gè)關(guān)鍵的
2021-05-12
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FRAM的應(yīng)用場(chǎng)景
FRAM由于其壽命長(zhǎng)、讀寫(xiě)速度快等優(yōu)勢(shì)，因此主要應(yīng)用于RFID、便攜式的醫(yī)療設(shè)備、可穿戴設(shè)備、IOT設(shè)備以及車(chē)載設(shè)備等。1 汽車(chē)：汽車(chē)行業(yè)對(duì)FRA
2021-05-11
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鐵電存儲(chǔ)器FRAM的優(yōu)劣勢(shì)
FRAM憑借高速讀寫(xiě)入、高讀寫(xiě)耐久性、低功耗和防竄改方面的優(yōu)勢(shì)，被視為替代傳統(tǒng)EEPROM和FLASH的產(chǎn)品。FRAM產(chǎn)品的主要廠商包括英飛凌、日本
2021-05-10
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