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非易失性MRAM存儲器應(yīng)用于各級高速緩存
磁阻式隨機(jī)存儲器MRAM是一種新型存儲器,其優(yōu)點(diǎn)有讀取速度快和集成度高及非揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM運(yùn)用于計(jì)算機(jī)存儲系統(tǒng)
2020-11-04
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磁存儲芯片STT-MRAM的特點(diǎn)
隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的不斷進(jìn)步,芯片工藝制程的不斷演進(jìn)和成本的不斷降低,半導(dǎo)體芯片廣泛應(yīng)用在物聯(lián)網(wǎng)、個人終端、汽車電子、可穿戴設(shè)備、工
2020-11-03
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NAND FLASH的接口控制設(shè)計(jì)
Nand flash是flash存儲器的其中一種，Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand
2020-11-02
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NAND Flash和NOR Flash的區(qū)別
1 1接口差別NOR Flash帶有SRAM接口,有足夠的地址引腳來尋址,可以直接和CPU相連,CPU可以直接通過地址總線對NOR Flash進(jìn)行訪問，可以很容易
2020-10-30
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SDRAM內(nèi)存條時序特點(diǎn)
計(jì)算機(jī)上廣泛應(yīng)用的內(nèi)存條具有速度高、容量大、接口標(biāo)準(zhǔn)、擴(kuò)展方便等優(yōu)點(diǎn)。在大容量,高速數(shù)據(jù)存儲的領(lǐng)域,應(yīng)用SDRAM內(nèi)存條代替一般的單片SDRAM存儲器，給實(shí)際電路的更改和存儲容量的擴(kuò)展帶
2020-10-29
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鐵電隨機(jī)存儲器FRAM和磁性隨機(jī)存儲器MRAM
新型的存儲器既具有RAM的優(yōu)點(diǎn)，又有非失易失性特征，同時克服了非易失性寫入速度慢且寫入次數(shù)有限等缺點(diǎn)。鐵電隨機(jī)存儲器（FRAM)FRAM的核心
2020-10-28
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